迁移率与杂质浓度和温度的关系.PPT

迁移率与杂质浓度和温度的关系 庞智勇 山东大学物理学院 本幻灯片参照刘恩科等所编著教材《半导体物理学》编写 半导体物理 Semiconductor Physics 本节采用简单的模型来讨论电导率、迁移率和散射几率的关系，进而讨论它们与杂质浓度和温度的关系。 本节没有考虑载流子速度的统计分布情况。 半导体物理 Semiconductor Physics 平均自由时间和散射几率的关系 设有N个电子以速度v沿某方向移动，N(t)表示t时刻尚未遭到散射的电子数。那么，在t到t+Δt时间内被散射的电子数为 总电子数×单位时间被散射的几率×时间 = N(t)P Δt 它是t时刻与t+Δt时刻未被散射电子数的差 N(t)- N(t+Δt) = N(t)P Δt 当Δt很小时，可以写为 半导体物理 Semiconductor Physics t到t+dt时间内被散射的电子数为 遭到散射的所有电子的自由时间总和 平均自由时间 此处利用了常用积分公式 ＝ 平均自由时间等于散射几率的倒数 半导体物理 Semiconductor Physics 电导率、迁移率 设电子具有各向同性有效质量mn*，电场沿x方向，强度|E |。设某个刚遭到散射的时刻为t=0，散射后沿x方向的速度为vx0，经过时间t后又遭到散射，在这期间作加速运动。电子的加速度为 a = f/ mn* t时刻x方向速度为 因为每次散射无规则，多次散射后上式第一项平均值为零，只需关注第二项平均值，即平均漂移速度。 半导体物理 Semiconductor Physics 有了平均漂移速度，则迁移率 电导率 n型 p型 混合型 半导体物理 Semiconductor Physics 对于等能面是旋转椭球面的多极值半导体，沿 晶体的不同方向有效质量不同，以硅为例 六个极值，旋转椭球等能面，有效质量ml、mt，不同 能谷电子沿x，y，z方向迁移率不同。 半导体物理 Semiconductor Physics 设电场沿x方向， 则[100]能谷中电子沿x方向迁移率μ1=qτn/ml，其余四个 能谷中的电子，沿x 方向迁移率μ2= μ3 =qτn/mt。设电子 浓度n，则每个能谷单位体积中有6/n个电子，电流密度Jx 应是六个能谷中电子对电流贡献的总和，即 半导体物理 Semiconductor Physics 令 mc称为电导有效质量 μc称为电导迁移率，则 电子和空穴的迁移率是不同的，因为它们的平均自由时间和有效质量不同。如果两者的平均自由时间相同，因为电子电导有效质量小于空穴有效质量，电子迁移率大于空穴迁移率 半导体物理 Semiconductor Physics 迁移率与杂质和温度的关系 因为τ是散射几率的倒数，根据前面一节中电离杂质散射、声学波散射和光学波散射的散射几率与温度的关系，可以得到这几种散射机构的平均自由时间与温度的关系为 电离杂质散射： 声学波散射： 光学波散射：