大高宽比高线密度犡射线透射光栅的制作-电子科学技术.PDFVIP

第 卷 第 期 光学 精密工程 １７ １ 　 Ｖｏｌ．１７ Ｎｏ．１ 　 　 　　 　　　　　　 Ｏ ｔｉｃｓａｎｄＰｒｅｃｉｓｉｏｎＥｎｉｎｅｅｒｉｎ 　　　 　　　 　 年 月 　 ｐ ｇ ｇ ２００９ １ Ｊａｎ．２００９ 　 　 　 文章编号 （ ） １００４９２４Ｘ２００９０１００７２０６ 　 大高宽比、高线密度 射线透射光栅的制作 犡 柳龙华，刘 刚，熊 瑛，黄新龙，陈 洁，李文杰，田金萍，田扬超 　 　 　 （中国科学技术大学 国家同步辐射实验室，安徽 合肥 ２３００２９） 摘要：利用电子束光刻、 射线光刻和微电镀技术，成功制作了面积为 ，周期为 ，金吸收体厚度为 Ｘ １ｍｍ×１ｍｍ ３００ｎｍ 的用于 射线显微成像的透射光栅。首先，利用电子束光刻和微电镀技术在 薄膜上制作周期为 ，厚 １ ｍ Ｘ ＳｉＮ ３００ｎｍ μ ３ ４ 度为 的高线密度光栅掩模；然后，利用 射线光刻和微电镀技术复制厚度为 ，占空比接近 ，高宽比为 ２５０ｎｍ Ｘ １ ｍ １∶１ ７ μ 的 射线透射光栅。整个工艺流程充分利用了电子束光刻技术制作高分辨率图形和 射线光刻技术制作大高宽比结 Ｘ Ｘ 构的优点，实现了大高宽比、纳米尺度、侧壁陡直的 射线透射光栅的制作。 Ｘ 关 键 词： 射线透射光栅；电子束光刻； 射线光刻； 射线显微成像技术 Ｘ Ｘ Ｘ 　 　 中图分类号： ； 文献标识码： Ｏ４３６．１ＴＮ３０５．７ Ａ 　　 犉犪犫狉犻犮犪狋犻狅狀狅犳犺犻犺犪狊犲犮狋狉犪狋犻狅犪狀犱犺犻犺犱犲狀狊犻狋 犵 狆 犵 狔 犡狉犪 狋狉犪狀狊犿犻狊狊犻狅狀 狉犪狋犻狀 狔 犵 犵 ， ， ，