慢正电子束研究薄膜!界面和近表面微观结构3.PDFVIP

实验技术 慢正电子束研究薄膜 界面和近表面微观结构3 ! 翁惠民 周先意 叶邦角 杜江峰 韩荣典 中国科学技术大学近代物理系 合肥 摘 要 慢正电子束技术是近十几年来发展起来的探测材料近表面微结构的新手段 文章介绍了其在薄膜 界面 ! 和近表面测量的基本方法和部分应用结果 关键词 慢正电子束 参数 界面 缺陷 Σ ΦΙΛΜΣ,ΙΝΤΕΡΦΑΧΕΣΑΝΔ ΝΕΑΡΣΥΡΦΑΧΕΣΤΥΔΙΕΣΥΣΙΝΓ ςΑΡΙΑΒΛΕΕΝΕΡΓΨΠΟΣΙΤΡΟΝΒΕΑΜ •∞∏2 ÷2≠ ≠∞ 2 ⁄2ƒ 2⁄ (ΜοδερνΠησιχσΔε αρτμεντ, Υνιϖερσιτ ο Σχιενχεανδ Τεχηνολο ο Χηινα, Ηε ει ) ψ π ψ φ γψ φ φ Αβστραχτ ×∏√ ∏ ∏∏∏ ×∏∏ Κε ωορδσ √ Σ ψ °×被证明是用作测量固体中缺陷类型及浓度! ≈ 相变等微观结构十分有效的工具 这样 通过测 引言 量不同深度正电子湮没的 光子能谱或寿命 就可 Χ 在凝聚态物理和材料科学中 表面和近表面的 以得到不同深度的微观结构的特征及分布 这对于 物质结构状况 往往决定着许多物理和化学性质 通 分析固体近表面 离子注入区 各种应变层 薄膜和 ! ! ! 常采用离子束 电子束 激光束或其他方法对表面进 界面等非均匀系统的微观结构十分有利 此外 正电 ! ! 行处理 改变表面的组分与结构或人为地引进缺陷 子的质量轻 因此注入样品时几乎不会产生缺陷 是