提高Spindt型场发射冷阴极阵列发射均匀性的方法3.PDFVIP

　第 19 卷第 6 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 6　 V o l N o 　1998 年 6 月　　　　　　CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S　　　　　　June, 1998　 提高 Sp indt 型场发射冷阴极阵列 发射均匀性的方法 张友渝　江泽流　宗婉华　王文喜　张大立　王民娟 (河北半导体研究所　石家庄　050051) 摘要　本文提出采用栅孔直径整匀法以及改进的纵向高阻 Si 镇流电阻法, 提高了 Sp indt 型场 发射冷阴极阵列的发射均匀性. EEACC: 2560Z, 2320, 2340E 1　引言 Sp indt 型场发射冷阴极阵列(FEA ) 是一种阴极电流密度很高的冷阴极. 它也是真空微 ( ) 电子器件 场发射真空平板显示器、微波真空微电子器件、真空微电子传感器等 较为理想 的电子源. 进一步提高场发射冷阴极阵列的电流密度及降低栅极阈值电压仍然是目前真空 微电子学研究的主要领域之一. 实践表明, 在一定的栅极提拉电压 V g s 下, 场发射冷阴极阵列的阴极电流并不与阵列的 大小成正比. 一般认为, 在成千上万个尖锥组成的 Sp indt 型场发射冷阴极阵列中, 只有一部 [ 1, 2 ] 分尖锥发射电子 . 这种发射电流不均匀现象, 一方面, 限制了场发射冷阴极阵列的阴极电 流及阴极电流密度的提高. 另一方面, 阵列中个别尖锥发射电流过大, 也是引起场发射冷阴 [ 3 ] 极阵列烧毁的原因之一 . 因此, 解决场发射冷阴极阵列内各单元电子均匀地发射成为提高 阴极电流密度及可靠性的关键和难点. 图 1 给出场发射冷阴极阵列( ) 的结构示意图. 根据金属场发射的 FEA Fow ler N o rd [ 4 ] 理论 , 场发射冷阴极阵列中, 第 个尖锥的发射电流可以用公式表达为 heim j - 6 2 7 32 1. 54 × 10 s j j - 6. 83 × 10 - 4 j ( ( ) ) ( ) i ≈ exp 3. 39 × 10 1 j