搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管直流电应力下的退化行为与-液晶与显示.PDFVIP

第 卷 第 期 液晶与显示 ３０ 　 ２ 　　 Vol．３０　No．２ 　 　　　　 　　　　　　ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas 年 月 q y p y ２０１５ ４ 　 　 　 A r．２０１５ p 文章编号: ( ) １００７Ｇ２７８０２０１５０２Ｇ０１８７Ｇ０７ 搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管直流电应力下的 退化行为与退化机制研究 ∗ , , , , , 张 猛 夏之荷 周 玮 陈荣盛 王 文 郭海成 　 　 　 ( , ) 香港科技大学 先进显示与光电子技术国家重点实验室 香港 : ( ) ( ) . 摘要 研究了搭桥晶粒 BG 多晶硅薄膜晶体管 TFT 在直流电应力下的退化行为和退化机制 与普通多晶硅 TFT相 , . 比 BG多晶硅 TFT展现出更好的直流应力可靠性 主要体现在 BG多晶硅 TFT拥有更好的直流负偏压温度不稳定性 ( ) , ( ) , ( ) . 可靠性 更好的直流自加热 可靠性 更好的直流热载流子 可靠性 有源沟道区的 结构是上述直流 NBTI SH HC BG . ; 应力可靠性提高的主要原因 更好的NBTI的可靠性主要源于沟道内的硼氢键的形成 更好的 SH可靠性主要源于在 ; ( ) . , 沟道长度方向上更快的焦耳热扩散率 更好的 HC可靠性主要源于漏端横向电场 Ex 的减弱 所有的测试结果都表明 这种高性能高可靠性的BG多晶硅 TFT在片上系统中具有很大的应用前景. : ; ; ; ; ; 关 键 词 搭桥晶粒 多晶硅 薄膜晶体管 负偏压温度不稳定性 自加热 热载流子 　 　 中图分类号: 文献标识码: : / TN１４１　　 A　　doi１０．３７８８YJYX０１８７ Deradationbehaviorsandderadationmechanisms g g ofbridedＧrain olcrstallinesiliconthinfilm g p y y transisto