摘要考虑了晶体椿点的振动效应和光子巾H声子的相互作用l导出了.PDFVIP

1908年11月 重庆大学学报 (自然科学版) V0】．11 第21巷第6期 Journal of Chongqing un【vers y(Natura1 Science Ed Ltion) NOV．19g8 f 2 激光对双势垒结构负阻效应的影响’ ’ 向永 寿 o 7-71- (重庆师范学琬物理素 i面 丽 59岁．男．副教授) 77，8 摘 要 考虑了晶体格点的振动效应和光子——声子的相互作用，导出了对称最势垒 结构中的电流密度随激光强度、照射时间、样品初始温度、材料的热容量等变化的关系武。讨 论了强激光时双势垒结构负阻效应的影响。 关键词 强荩 垫垒 电流密度表达式；逸里垫室 中国图书资料分类法分类号 m7 半孚体，絮品格 0 引 言 由于超晶格的微带效应，在超晶格结构两端加上电压后，势阱中的能级有可能出现凝聚 (descend)。当外加电压使势阱中的能级凝聚在发射端的导带底之下时，电子隧穿的可能性减 小，以致使共振隧穿截止，电流从峰值跃至谷区，表现出电子的漂移速度反而随外加电压增 加而减少，这就是所谓“负阻效应”，自从张立纲等1974年首次在半导体双势垒异质结中观 察到负阻效应以来 ]，随着样品质量的改善，已在低温和室温下，清晰地观察到了负阻现 象口 ]。从理论和实验上对负阻效应诱人的应用前景也进行了大量的研究 。近年来一些作 者还研究了激光场对双势垒异质结构共振隧穿的影响嘲。1995年，Dakhnovskii Yu和Mefiu H 在不考虑格点振动和声子——光子相互作用的情况下，计算了双势垒结构(DBS)在强激光 照射下的隧穿电流，指出激光可以显著改变隧穿电流的特性，证明了DBS中的负阻效应与 激光强度有关 ]。由于未考虑格点振动，它不能反映负阻效应与照射时间、样品初始温度和 材料固有性质等的相互关系，因而不能利用强激光来有效地控制负阻效应以满足应用之需 要。为此，笔者将考虑格点的振动和光子——声子相互作用，讨论强激光的热学效应，导出在 强激光照射下，对称双势垒结构中的电流密度随激光强度、照射时问、样品初始温度等变化 的关系式。 ‰+ ，2 1体系的哈密顿 GaAs／AI,Ga 一 As超晶格是在GaAs之闯周期性的 引人Ga Al As薄层，其周期远小于电子的平均自由 程，若引人Ga sAln sAs，在接触处将产生势垒。对于对称 图1 一个双势垒结构示意图 双势垒结构(图1所示)，设势垒左边、若边电子的动能为 · 收文日期 1998·O9·O9 122 重庆大学学报 (宙然科学版) 1998生 、 日，势垒左边和右边的产生和湮灭算符为 ≯ 和啦 、 ，在势阱中的能级为‰，产生和湮 灭算符为吲 和 ，电子从左边透过势垒的透射系数为 ，而右边的为 ；偏压为 ，激光 照射的电场幅度 ，频率 ，它给予电子的附加能量 (￡)一Vcos(o~t)一只茜cos f． 为偶 极矩，与双势垒长度成比例，则体系的哈密顿为 f)一∑ +∑( + )研 +∑( 肾 + )+ ● ， ∑( 溅f + 嘶)+l +e百Vo+ (f)l耐嘶 (1) T 式中的1、2项分别为左、右端电子的能量，3、4项为隧穿项，最后一项为势阱中的哈密顿。 2 不考虑格点振动时的电流密度 文献E72假设波函数的形