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(3) 欧姆接触 也称为非整流接触。 定义：它不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。从电学上讲，理想欧姆接触的接触电阻与半导体样品或器件相比应当很小，当有电流通过时，欧姆接触上的电压降应当远小于样品或器件本身的压降，这种接触不影响器件的电流-电压特性。 重要性：在超高频和大功率器件中，欧姆接触时设计和制造中的关键问题之一。 实现的办法：对于Si、Ge、GaAs等重要的半导体材料，一般表面态密度很高。势垒的形成与金属的功函数关系不大，不能通用选择金属材料的办法来获得欧姆接触。目前，在实际生产中，主要利用隧道效应的原理来实现。 重掺杂的p-n结可以产生显著的隧道电流。 金属与半导体接触时，如果半导体掺杂浓度很高，则势垒区宽度变薄。隧道电流甚至超过了热电子发射电流。使接触电阻很小。 5.5.3 半导体陶瓷的物理效应 1. 晶界效应 2. 表面效应 3. 西贝克效应 表面能级 表面能级及表面能带结构 表面能级：由于晶格的不完整性使势场周期性破坏，在禁带中产生附加能级，同理：晶体自由表面的存在使其周期场在表面处发生中断，在表面引起附加能级，因其在表面产生，称为表面能级。 引起表面能级的因素：断键 吸附其他分子或原子 晶格缺陷(如添加的杂质以固溶的形式出现在距晶界面约20埃的地方，即偏析）。例如Bi固溶在ZnO的颗粒表面。 Mn+ On- p n 陶瓷材料晶粒由表面断键形成的表面能带结构 (b) p型半导体陶瓷的表面势 (c) n型半导体陶瓷的表面势 表面空间电荷层及表面电势 表面空间电荷层：在金属中，自由电子密度很高，表面电荷基本上分布在一个原子层厚度范围内，与金属相比，由于半导体载流子密度要低的多，电荷必须分布在一定厚度的表面层内，这个带电的表面层为表面空间电荷层。 表面电势：表面空间电荷层两端的电势差。 表面电势的正负规定：表面电势比内部高时，其值取正，反之取负。 表面势为负值时，表面处能带向上弯曲，，在热平衡状态下，半导体内费米能级为一定值，随着向表面接近，价带顶将逐渐移近甚至超过费米能级，同时，价带中的空穴浓度也随之增加，结果表面层内出现空穴的堆积而带正电。 表面空间电荷层 的三种状态（主要讨论p型半导体） 1）多数载流子堆积状态 － － － － － － － ? ? ? ? ? ? ? EF p 当表面势为正值时，表面处能带向下弯曲，越接近表面，费米能级离价带顶越远，价带顶空穴浓度随之降低，在靠近表面的一定区域内，价带顶比费米能级低的多，根据波尔兹曼分布，表面处空穴浓度将比体内浓度低的多。 2）多数载流子耗尽状态 － － － － － － － ? ? ? ? ? ? ? p 在2）的基础上，表面处能带进一步向下弯曲，越接近表面，表面处费米能级可能高于禁带中央能量，即，费米能级离导带底比离价带顶更近一些，表面电子浓度超过空穴浓度，形成了与原来半导体导电类型相反的一层。 3）少数载流子反型状态 － － － － － － － ? ? ? ? ? ? ? - - - - - 压敏效应：对电压变化敏感的非线性电阻效应。即在某一临界电压以下，电阻值非常高，可以认为是绝缘体，当超过临界电压（敏感电压），电阻迅速降低，让电流通过。 电压与电流是非线性关系。 1. 晶界效应 （1） 压敏陶瓷 隧道效应 热激发 双肖特基势垒图 （2） PTC效应 PTC效应：电阻率随温度升上发生突变，增大了3—4个数量级。是价控型钛酸钡半导体特有。电阻率突变温度在相变（四方相与立方相转变）温度或居里点。 PTC机理（Heywang晶界模型)： 1）n型半导体陶瓷晶界具有表面能级； 2）表面能级 可以捕获载流子，产生电子耗损层，形成肖特基势垒。在烧结时，需采用氧化气氛，缓慢冷却，使晶界充分氧化，因此所得烧结体表面覆盖着高阻氧化层，在被电极前将氧化层去除。 3）肖特基势垒高度与介电常数有关，介电常数越大，势垒越低；4）温度超过居里点，材料的介电常数急剧减小，势垒增高，电阻率急剧增加。 表面效应：半导体表面吸附气体时电导率发生变化。 吸附气体的种类：H2、O2、CO、CH4、H2O等。 半导体表面吸附气体对电导率的影响： 如果吸附气体的电子亲和力大于半导体的功函数，吸附分子从半导体中捕获电子而带负电；相反吸附分子带正电。 n型半导体负电吸附，p型半导体正电吸附时，表面均形成耗尽层，表面电导率减小。 p型半导体负电吸附，n型半导体正电吸附时，表面均形成积累层，表面电导