模拟和接口指引——第2卷.PDF

模拟和接口 模拟和接口指南——第2卷 技术论文和设计笔记的合辑 模拟和接口指南——第2卷 目录 目录 最大限度降低噪声的技术 期待技术变迁 1 旁路电容：这里没有捷径 2 消抖失败 3 ETP-248：管理单片机/模拟应用中的电源、地和噪声 4 锂电池充电 高容量锂电池充电 8 锂离子电池充电：充电系统并不都是一样的 10 运算放大器 在单电源电压环境内使用放大器 14 每个放大器都在等待振荡，每个振荡器都在等待放大 18 放大器和SPICE 22 模数转换器 位数与LSb误差 24 您的转换器是否精确——第2部分 25 噪声有时也是有益的 26 利用基本原理实现ACD范围控制 27 通过欠采样来反向利用奈奎斯特采样定理 28 其他 使用nanoWatt Technology技术武装自己 29 巧妙实现单片机引脚复用 32 顺应波峰因数的潮流 33 在嵌入式应用中使用低压差稳压器进行设计 34 模拟和接口指南——第2卷 最大限度降低噪声的技术 期待技术变迁 正如我们所说的，行业技术在不断进步。数字和模拟集成电路芯片 图1给出了几个说明应该采取和不该采取的做法的示例。 工艺的尺寸在不断缩小。随之而来的是，IC器件的电源电压要求、 芯片面积和价格也在不断下降。我个人见证了从1.2微米一直到 0.25微米的尺寸变迁。我发现用0.7微米工艺制造的器件功能，在 改为0.25微米工艺时可能就无法正常工作。 这是怎么回事？！理论上并没有改变什么，但实际电路似乎不是那 么一回事。当然，我可以选择不采用已迁移为更小尺寸的器件，但 对于一名具有前瞻性的工程师，这是一个非常糟糕的主意。不顺 c ）更优 （ 应这一行业趋势，就等于放弃了更低电源电压、更快速度和更低成 单层） 本这些额外好处。这是非常不明智的！ 我的唯一应对措施是在设计时预期尺寸将继续变得越来越小。我 a ）低劣 b）优良 单层） 单层） 知道，器件尺寸越小，能够支持的电源电压就越低。这可以帮助我 （ （ 解决功耗问题，但ESD （静电放电）则达不到最优水平。较小尺寸的 器件不仅吸收高电压瞬变的能力较低，而且它们缺乏高电流下的可 d ）最优 多层） 靠性。制造标准与以往一样高，即具有2000 Vrms到4000 Vrms的 （ 抗ESD能力 （人体模型）。但是，它们测试检测的是产生灾难性故 图1 ：使用一条地和VDD走线连接几个器件，（a）会形成地和电源 障的条件，而最终用户可能会由于EMI （电磁干扰）和EFT （电快速 环路。这种拓扑还会增强电源毛刺。使用地或VDD跳线（b）是更好 瞬变）信号而遭遇RAM损坏。 的解决方案，但也不是太好。构造器件之间的地和VDD走线（c）是 不过，我可以将精力集中在几个方面，例如，保护电路（MOV和瞬 三者中更好的解决方案。但是，最好的解决方案是在多层板上使 用独立的地和电源平面 （d） 态抑制器）、单片机或处理器引脚保护（I/O、中断和复位引脚）， 。 或者固件恢复技术 （WDT和寄存器刷新）等。所有这些技术都有助