2-1PN结的平衡状态.ppt

第3次课内容 以上关于平衡 PN 结的各个公式，都可以推广到有外加电压时的情形 。 如果设外加电压全部降落在耗尽区上， 则 只需将各公式中的 Vbi 用 (Vbi – V) 代替即可。注意外加电压的参考极性与 Vbi 相反。 2.1.5 耗尽近似和中性近似的适用性 以上在求解泊松方程时采用了耗尽近似和中性近似。实际上载流子在所谓的耗尽区内并未严格耗尽，这从 n(x) 和 p(x) 的表达式也可看出来。载流子浓度在耗尽区和中性区的边界附近也是逐渐过渡的，在中性区中靠近耗尽区的地方，载流子浓度已开始减少。然而严格的计算表明，精确结果与采用耗尽近似所得到的结果是相当接近的，采用耗尽近似不致引入太大的误差，但却可使计算大为简化。所以耗尽近似在分析半导体器件时得到了广泛的应用。 本小节的其余内容请同学们自学。 以上关于平衡 PN 结的各个公式，都可以推广到有外加电压时的情形 。 如果设外加电压全部降落在耗尽区上， 则 只需将各公式中的 Vbi 用 (Vbi – V) 代替即可。注意外加电压的参考极性与 Vbi 相反。 例如，已知平衡时势垒区中的载流子浓度及其乘积为 则当有外加电压 V 时， 这时势垒区中的载流子浓度乘积为 思考题 是否可用伏特表测出pn结的内建电势差Vbi的值？内建电势差在pn结会产生 电流么？为什么？ 参考答案： Vbi指 热平衡状态下pn结内P区与N区的静电势差。 Vbi作用是维持PN结内的平衡状态，即：维持N区多子电子和P区少子电子之间以及P区多子空穴和N区少子空穴的间的平衡。外加探针与半导体间会产生相应的电势差，这个电势差会抵消PN结内建电势差Vbi。以此不能测出。 在PN结耗尽区内部没有可动的自由电荷，由Vbi维持结内的平衡，因此不会产生电流。 小结 掌握空间电荷区的形成过程、内建电场与内建电势的概念及其计算、耗尽区宽度的计算、平衡PN结的能带图。 理解突变结与线性缓变结、耗尽近似与中性近似等概念、掺杂浓度与耗尽区宽度之间的关系。 了解耗尽近似与中性近似的适用性。 本节的重点是PN结空间电荷区的形成、内建电势的推导与计算、耗尽区宽度的推导与计算 难点是对耗尽近似的理解 预习 2-2-1 外加电压时载流子的运动情况 作业：P74---3、4、6、7、8、13 PN 结是构成各种半导体器件的基本单元。 P-positive，N-negative 第 2 章 PN 结 PN 结构成：在一块半导体单晶材料（通常是硅或锗）上，采用适当的工艺方法（如扩散法、生长法、离子注入法），将P型（N型）杂质掺入其中，使这块单晶的不同区域具有P型（N型）的导电类型，在二者的交界面就形成空间电荷区，称PN结（冶金结面） P 区 NA N 区 ND 理想突变结主要特点：每个掺杂（P 、 N） 区的杂质浓度都是均匀的分布 ，在冶金结面处，载流子存在很大浓度梯度，杂质浓度发生突变。当一侧的浓度远大于另一侧时 ，称为 单边突变结，分别记为 PN+ 单边突变结和 P+N 单边突变结。 　　线性缓变结：冶金结面两侧的杂质浓度随距离作线性变化，杂质浓度梯度 a 为常数。 平衡状态：PN 结内部的温度均匀稳定，不存在外加电压、光照、磁场、辐射等外作用。 2.1 PN 结的平衡状态（零偏） 本节将主要讨论平衡状态下理想突变结的特性 ---- PN 结 空间电荷区的形成，PN 结的 内建电场、内建电势、 PN 结 空间电荷区宽度。 平衡少子 P 区： N 区： 利用 n0 p0 = ni2 的关系，可得 平衡多子 P 区： N 区： 可见， 空穴扩散：P 区 N 区 电子扩散：P 区 N 区 扩散电流方向为，P 区 N 区 P 区 N 区 NA-，pp0 ND+，nn0 2.1.1 空间电荷区的形成 扩散电流： P 区 N 区 漂移电流： P 区 N 区 P 区留下 NA- ，N 区留下 ND+ ，形成 空间电荷区。空间电荷区产生的电场称为 内建电场，方向为由 N 区指向 P 区。电场的存在会引起漂移电流，方向为由 N 区指向 P 区。 达到平衡时，净电流 = 0 。于是就形成一个稳定的有一定宽度的空间电荷区。 内建电场 空间电荷区 P 区 N 区 NA- ND+ NA- pp0 ND+ nn0 思