九十二学年第一学期半导体雷射期末报告-郭艳光.DOCVIP

九十二學年度第一學期半導體雷射期末報告 AlGaInAs量子井雷射之特性分析與結構設計 班級：光碩一 學號姓名：謝尚衛 指導教授：郭艷光 博士 報告日期：2003/01/06 目錄 前言…………………………………………………….2 AlGaInAs材料系統之特性簡介……………………...2 一、 Band offset ratio的探討與分析………………………2 Bowing parameter的特性探討……………………….3 Band-gap energy以及應力和成分之間的分析探討…4 AlGaInAs元件設計之發展…………………………...5 一、 AlGaInAs量子井雷射之早期發展…………………...5 二、 AlGaInAs量子井雷射之近期概況…………………...6 三、 AlGaInAs量子井雷射之特殊設計…………………...8 結論…………………………………………………...10 參考文獻……………………………………………...10 壹、 前言 在光纖通信的系統中，1.3和1.55 ?m的雷射光源是不可或缺的關鍵性元件，因為在石英光纖的光傳遞中，他們分別提供了最低的光色散失真以及最小的能量損失。然而，傳統的1.3以及1.55 μm的通訊用雷射二極體主要以InGaAsP為主要材料，雖然其元件的光電特性良好，但抗溫性差，往往需要 TE cooler 來降低操作溫度，因而增加成本近年來以AlGaInAs 材料為主的雷射二極體不需要主動式散熱板，可得到優異的光電特性，有逐漸取代InGaAsP趨勢。AlGaInAs此材料為主軸，並蒐集了相關的理論和實驗文獻來對此材料系統做一系列的探討與分析。 貳、 AlGaInAs材料系統之特性簡介 一、 Band offset ratio的探討與分析 首先我將針對於AlGaInAs此材料系統的band offset ratio做詳細的介紹。所謂的band offset ratio即是指量子井中導電帶井深對價電帶井深的比值，而對於AlGaInAs系統，此部份的研究無論在學術界或工程界上已達到一定的共識。在我所收集的文獻中，包含Physical Review B[1]、Applied Physics Letters[2]以及IEEE[3]等著名的期刊雜誌中，都明確地指出AlGaInAs的band offset ratio為0.72：0.28，與傳統的通訊用InGaAsP材料and offset ratio為0.4：0.6)相較之下，AlGaInAs在導電帶有較深的量子井可以侷限更多的載子，因此其在高溫操作時，電子溢流 (carrier leakage)的情況較InGaAsP材料系統緩和減少了許多，故其發光效率也較InGaAsP高出了不少。下圖為R. F. Kazarinov等人在1995年發表於IEEE JQE的AlGaInAs量子井能帶結構圖[4]： 圖一 AlGaInAs量子井能帶結構圖 從圖中我們可以計算出AlGaInAs材料系統的band offset ratio (ΔEc:ΔEv)為0.3 eV/0.12 eV (其值為2.5)與我們一般所認知的0.72/0.28 (其值為2.571)相當的吻合。除此之外，我們也可以算出電子在導電帶n＝1的能階躍遷至價電帶重電洞n＝1的發光波長，其值為1240/0.932約等於1330 (nm) 二、 Bowing parameter的特性探討 接下來所要探討的是AlGaInAs此材料系統的Band-gap energy對組成成分的關係。此部份的研究已由J. P. Praseuth等人在1988年發表於J. Appl. Phys.的文章中就有詳細的實驗數據分析[5]，如下圖所示： 圖二 AlGaInAs的Band-gap energy對組成成分的關係圖 由於AlGaInAs為一四元的材料系統，故其Band-gap energy可用兩個三元的AlxGayIn1-x-yAs材料結構 (Ga0.47In0.53As與Al0.48In0.52As)疊加來表示，如上圖所示。從圖中，我們亦可觀察到AlGaInAs材料系統的Band-gap energy值與組成成分是呈線性的函數關係，故我們亦可推測其Bowing parameter (b值)約趨近於零。 三、 Band-gap energy以及應力和成分之間的分析探討 關於此部分的研究，我們可以參考Sandra R. Selmic等人在2001年發表於IEEE上所提供的數據資料[6]，如下表所示： 表一 AlxGayIn1-x-yAs的Band-gap energy對In含量的關係圖 從表中我們可以獲悉當In含量 (1-x-y)佔0.53時，晶格是匹配而不含應力的；反之，當含量大