西电集成电路制造技术方法第八章 光刻与刻蚀工艺.pptVIP

第八章 光刻与刻蚀工艺;绪论;绪论;绪论;;;绪论;绪论;绪论;绪论;;8.1 光刻工艺流程;n-Si;n-Si;n-Si;n-Si;n-Si;;n-Si;n-Si;n-Si;n-Si;n-Si;正性光刻;;8.1 光刻工艺流程;8.1 光刻工艺流程;;8.1 光刻工艺流程;;8.1 光刻工艺流程;8.1 光刻工艺流程;8.1 光刻工艺流程;8.1 光刻工艺流程;8.1 光刻工艺流程;8.1 光刻工艺流程;8.1 光刻工艺流程;8.1 光刻工艺流程;8.2 分辨率;;8.2 分辨率;;8.3 光刻胶的基本属性;;8.3 光刻胶的基本属性;8.3 光刻胶的基本属性;;8.3.1 对比度γ;;;8.3 光刻胶的基本属性;8.3 光刻胶的基本属性;8.5 抗反射涂层工艺;8.6 紫外光曝光;对于光刻曝光的重要 UV 波长 ; 部分电磁频谱;;8.6 紫外光曝光;8.6.5 接触式曝光 硅片与光刻版紧密接触。 优点：光衍射效应小，分辨率高。 缺点：对准困难，掩膜图形易损伤，成品率低。 8.6.6 投影式曝光 利用光学系统，将光刻版的图形投影在硅片上。 优点：光刻版不受损伤，对准精度高。 缺点：光学系统复杂，对物镜成像要求高。 用于3μm以下光刻。;投影式曝光原理：;分步重复投影光刻机--Stepper;;8.7 掩模版（光刻版）的制造;