单晶氮化铝薄膜成长于体声波元件之研究.PDFVIP

行 精 類 行 年年 行 理 李 參理 理 年 █ 成 果 報 告 行政院國家科學委員會補助專題研究計畫 □期中進度報告 單晶氮化鋁薄膜成長於體聲波元件之研究 計畫類別 ：■個別型計畫 □整合型計畫 計畫編號 ：NSC95－2218－E－252－001 執行期間 ： 95年08月 01日至 96年07月 31日 計畫主持人 ：李 縫治 共同主持人 ： 計畫參與人員 ：謝 志尚 成果報告類型(依經費核定清單規定繳交 ) ：■精簡報告 □完整報告 本成果報告包括以下應繳交之附件： □赴國外出差或研習心得報告一份 □赴大陸地區出差或研習心得報告一份 □出席國際學術會議心得報告及發表之論文各一份 □國際合作研究計畫國外研究報告書一份 處理方式 ：除產學合作研究計畫 、提升產業技術及人才培育研究計畫 、 列管計畫及下列情形者外 ，得立即公開查詢 □涉及專利或其他智慧財產權，□一年□二年後可公開查詢 執行單位 ：南開技術學院工業工程與管理系 中 華 民 國 九 十 六 年 十 月 一 十 六 日 以長距離同構磁控濺鍍系統成長氮化鋁薄膜之硬度與微結構之研究 李縫治 趙健祥 黃興祿 朱安國1 2 3 4 1 南開技術學院工業工程與管理系 國立中山大學機械與機電工程學系2 3 陸軍官校 國立中山大學光電工程研究所 半導體工業研究與發展中心4 本篇論文是針對以長距離同構磁控濺鍍系統成長之氮化鋁薄膜之硬度與微結構在室溫下進行研究。以靶 材-基板距離17 公分反應式濺鍍系統在加有負偏壓的玻璃和矽基板上鋁層成長氮化鋁薄膜。而氮化鋁薄膜的 硬度與微結構改變隨著所加的負偏壓不同而有相當大的關聯 。偏壓在負 210伏特時 ，所生 成的多晶氮化鋁薄 膜有 (002晶格排向具有最大硬度值為) 17.5GPa ；且在相同的偏壓條件下 ，其水滴接觸角(contactangle)大於90 ° ，即表示此薄膜表面具有疏水性 (hydrophobicity)。除此之外 ，將在室溫下以氮化鋁靶材與在溫度400下以鋁 靶反應式濺鍍 分別所生成的(002晶格排向多晶氮化鋁薄膜之硬度值與) 長距離反應式濺鍍系統成長之(002氮) 化鋁薄膜做分析與比較 。 關鍵字 ：氮化鋁 、同構濺鍍 、顯微結構 、表面形態、疏水性 、表面聲波 The hardness and microstructure of aluminum nitride (AlN) thin films prepared by long-distance magnetron sputteringatroomtemperaturehavebeeninvestigated.Thefilmswerereactivelydepositedonbiasedglassandsilicon substratesatatarget-to-substratedistanceof17cm.Thehardnessandmicrostructureofthefilmswerefoundtovary greatlywithdifferentsubstratebia