Clipdiebonder使用于高功率元件制造之制程技术与生产自动化设备.PDFVIP

Clip die bonder使用於高功率元件製造之製程技術與生產自動化設備 黃正尚 / 總經理, 廣化科技股份有限公司 摘要 : 在高功率元件(大於1Amp)的封裝製造方法有 粗鋁線打線機及銅片橋接兩種製程, 本文將詳細介紹銅片橋接黏晶製程(以稱Clip die bonder), 應用於高功率元件(大 於 1Amp)的封裝製造 , 基本上,因為大電流所以以粗鋁線打線機生產時必須使用 5/10/20/30mil 等粗鋁線甚至是鋁帶, 如此使用者必須購買一台極為昂貴的粗鋁線 打線機, 且產能甚低(相較於 Clip die bonder), 於是Clip die bonder 因無需使用粗鋁線 Wire bonder,所 以有了較高的產能,較低的成本 , 而廣為高功 率元件製造廠所採用 目前在二極體, (Rectifiers), Thyristor, MOSFET…等高功 率器件使用此項技術已超過十幾年的經驗,所生產出之產品在散熱 (Thermal dissipation)及接觸阻抗(Contact resistance)方面均有極佳的表現,由其是大安培元 件(8 Amp. 以上). 本文就針對使用此製程之 : (一). 元件結構. (二). 製程參數. (三).自動化生產之方法流程及設備架構 , 分章別段,詳盡敘述 使讀者能深入了 解此項 製程技術. (一). 元件結構. 1. SMD 封裝二極體, 如μSMA, SMA, SMB, SMC…等. Clip (裁切下來之銅片) 晶片(Die) 導線架(Lead frame) 依此製程所設計之元件 , 最薄的元件可薄到 0.6mm(含膠體 ), SOD123是目前可以 以Clip die bonder 生產的最小元件,依照封裝元件的外觀尺寸 ,設計導線架 及 Clip, 其中需考慮組立後之結構重心,散熱 , 接觸面阻抗, 焊接面殘留應力, 可生產性 , 換產品線之通用性. 此類產品通常是距陣式導線架, 長X寬約是 80X260mm, Clip則 以捲帶式入料. 2.高功率 二極體, 如 TO-220. ITO-220, TO-3P, ISTO-220…等. TO 系列產品以銅片橋接方式生產, 此種結構可生產的封裝型態有: TO-220(如下 圖 ), ITO-220, D2PAK, TO-3P, TO218,內絕緣 TO-220…等,可封裝之產品有 GPP Diodes, Schottky diodes, SCR, TVS, Power MOSFET…等 註 :內絕緣 TO-220是一種散熱片導熱不導電的 TO-220, 其做法是在散熱片與 焊接面間 以陶瓷片隔開, 如下圖右邊所示 3. 橋式整流器 (Bridge rectifiers) 橋式整流器以銅片橋接方式生產, 此種結構可生產的封裝型態有: GBU, GBJ, KBJ, GBL, MinDIP, HDDF, ABS…等,可封裝之產品為橋式整流器或電源模組 . 4.高功率 MOSFET : DFN / QFN DFN 5X6 Package:以銅片橋接方式生產, SD/Gate皆以 Clip橋接, Gate的焊接 面需大於 0.30X0.30mm, 焊墊金屬層必須是鈦鎳銀或金(鋁會造成拒焊), Clip 之吸取面與裁切面必須同一平面.可封裝之產品為 PowerMOS, 小於5X6 DFN Package:以銅片橋接方式生產, SD 以Clip橋接, Gate則打線 , 主 要是因為 Gate的 Contact Pad(0.35X0.35mm)太小無法點錫膏,使用此種結構 時客戶必須注意的是 Die頃斜, 通常是小於 1mil(最高減最低 ),否則打線機無 法進行影像定位或是打線頭容易 斷裂,另此種混合製程 , 導線架是絕對不能氧 化的,否則會無法打線 , 通常焊接環境含氧量需小於 100ppm, 有些廠商會在純 氮中加入 3~5%的氫氣 , 以降低導線架被氧化的可能. 4. Dr.MOS / 多晶片封裝 是一種將 Driver IC 與兩顆PowerMOS, 封裝在QFN package 上,提高了產品的電 器特性及可靠度 ,且大