CMOS门延迟功率和规模门延迟功率最大功率.PDF

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CMOS门延迟功率和规模门延迟功率最大功率

6.012­微电子器件与电路,2003 年秋 CMOS门延迟,功率,和规模 门延迟 在学期的一开始(16讲),我们通过: * * * V |V |V ,C  C  C ,和K  K Tn Tp T Oxn Oxp Ox n p 计算了一个对称CMOS反相器的门延迟,其中 n沟道和p沟道器件都是最小门 长度的器件,也就是,L  L  L 。因为我们假设了  2 ,为了得到理想 n p min e h 的相同的K 值,p沟道器件被做成n沟道器件的两倍宽。 我们发现门延迟由(下面试子)给出: 4C V GD L DD K (V V )2 n DD T 替换C 和K ,带入器件参数的条件,经过简单代数变换,我们得到: L n GD 12nL2 VDD  min (V V )2 e DD T 功率 因为在CMOS中有零点静态功率,所以唯一有作用的是动态功率 2 P  C V f ave L DD * P  C 2 其中,f 是运行频率,P  avemax  e Ox V (V V ) C 是负载电容。这 densitymax 2 DD DD T L W L 4L n min min 一负载将是扇出数的平均值,相似 CMOS门电路输入电容的n 倍,加上任何相 连电容器间的寄生电容: * C  nC (L W  L W )C L Ox min n min p parasitic *  3nC L W C Ox min n parasitic 忽略C ,我们写成 parasitic * 2 P  3nC L WV f ave Ox min n DD 最大功率 最大功率消散发生在门电路运行在

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