首尔acrich3 芯片评估.docxVIP

　　　　　首尔Acrich3　芯片评估标准应用电路：整理后的原理图、PCB板及焊接后的图片：原理图上，红线圈出的，part1部分为外置有源泄放电路。part2部分为内置泄放电路及可控硅切相角设置。part3为OTP延时开机电容。part4部分，电阻为功率设置电阻，电容为抑制噪声电容。1、（未串入可控硅调光器）实测波形：上面几组图片中，示波器显示，第一路为输入交流电压波形，第二路为输入电流波形，并附加相应输入电压下，点亮灯珠的图片。上面2张图片为，另一块电源板测得的输入电压、电流波形。可看出，正常工作时，已经有轻微震荡出现，下面两张图片是120Vac时，展开后的震荡波形。全输入电压测试过程中，肉眼观察无闪烁，无可闻噪声，照相机下有频闪。实测数据：输入电压VacPF值输入功率W光通量lm光效lm/w600.962.37137.858.1700.9833.76322.985.88800.995.81506.487.16900.9887.51742.298.831000.9919.4939.199.91100.99411181200.99413.121341102.211300.99414061400.99216.8158694.41500.9918322、温升测试、热点测试：实测数据：环境温度首尔功率、芯片温度易美功率、芯片温度25℃13.12W ——13.98W ——85℃13.9W 118.2℃14.1W113.1℃105℃14.1W 135.9℃13.9W 130.6℃2.1、过温测试：（左侧高温测试，右侧降温后测试）总结：1、芯片存在过温，过温点：175-180℃2、升温到过温过程中，未出现功率下降情况（无降额）3、过温后（开机状态下），温度降至40℃，输入功率仍仅0.4W左右；重新开机后才可正常工作。（过温锁死）3、恒功率测试：串入可控硅实测（选用公司现有的：“可支持调光范围最大的一款调光器”）：1、原理图上Part2部分中的下电阻R12-2352-0805未变：上图左、右分别为测试电源支持可控硅最大、最小调光（仍能点亮灯珠）功能2、原理图上Part2部分中的下电阻改为R12-683-0805时：此时可实现恒功率模式（下图实测数据）：整理成表格：输入电压(Vac)90100110120130140150输入功率(W)7.339.5711.712.0212.111.8611.57输入功率随输入电压变化情况个人感觉此种输入功率分布更好：1、输入电压低（功率低），相对输入电流大，芯片采样电阻等温升大；2、额定（标称）输入电压时，芯片工况最好，输入功率最高。3、输入电压高时，芯片承担灯珠分压，热耗较大，适当减少输入功率3、改变原理图上Part2部分中的下电阻下电阻值18K24K39K54K68K82K整体调光有无无无无无最小功率1.6W1.24W0.5W0.37W0.27W0.23W恒功率无无无无有有上面实测表格，可看出：1、整体调光与恒功率不可兼容2、下电阻选值越大，支持可控硅调光最小角度越小；反之，越大。4、串入可控硅调光后的实测波形：上面几组波形为，不同输入电压、不同切相角时的实测波形。图片上，切相角后，输入电流有一段高台，此为原理图part1电路的作用。下面两张图片，左侧，第一路为MOS栅极电压波形，右侧为MOS漏极电压波形，可清楚看出，输入电流高台的是由MOS在此处开通造成的。下面2张图片为，相同输入电压下，不同切相角度时的测试波形。并可看出，右侧图片，切相位置右侧，波形已经发生畸变。下面两张图片为，震荡处，展开的波形。下面几组图片为，在串入可控硅后，不同输入电压下，震荡位置的波形，由图片可看出，震荡都发生在，切相角调至左侧第三、四串灯珠附近位置处5、可改变最小调光角上面两组图片，串入可控硅调光器后，在相同输入电压下；测得的最小调光角，以及点亮灯珠情况。两组图片，只是将原理图上R12电阻值24K换成18K，即可实现最小调光角时，灯珠仍全亮。6、外围电路测试：将原理图上part4中的降噪电容去掉后的测试波形：测试中，肉眼观察无闪烁、无可闻噪声，对比后可发现，120Vac以上，输入功率明显增大7、首尔acrich3芯片开机启动：下图，未串入可控硅，相同输入电压、part1-有源泄放电路时，首尔acrich3芯片（左侧）与易美246A芯片（右侧）开机及展开时测试波形对比：由上面的波形可看出，首尔acrich3芯片在开机后的第一个正弦周期仅有源泄放电路参与工作，以后的几个正弦周期，输入电流逐渐增大最后趋于稳定。此种开通方式，可避免开、关机瞬间，产生很大的浪涌电流。并且此种开通方式可避免串入个别可控硅后，打开可控硅调光器时，灯先闪一下的问题。