扩展GL理论与MgBlt2gt系统的超导电性.pdfVIP

摘要 大量的实验和理论结果表明二硼化镁是两能隙材料，其中一个能隙来自硼的P。轨道 盯带反成键态，另一个来自硼的P，轨道7／带成键和反成键态，其超导电性主要是由硼轨道 电子提供。仃带中空穴与声子间的作用非常强，产生一个较大的能隙，，r带的电子也会产 生一个较小的超导能隙。由于能带结构的复杂性，在磁场中不同的能带电子会有不同的行 为，表现出强烈的各向异性，因而在GL理论中应该考虑不同带有效质量的各向异性。 基于GL理论二带模型，考虑到能带有效质量的各向异性，我们讨论了二硼化镁超导体 的上临界磁场、上临界磁场的各向异性比与角度、湿度和相于长度的依赖关系。实验表明， 通过掺杂或引入缺陷能增强上临界磁场以，，降低上临界磁场的各向异性，形成钉扎中心 并增强临界电流密度，，，不同的替代杂质对盯带和y／．带的带内散射有不同的影响。相干长 度与掺杂程度密切相关，我们通过改变相干长度讨论了掺杂对上临界磁场的影响，理论计 算结果与实验结果相符。 。 我们的主要结论如下： (1)随着杂质的增多，超导体的有效相干长度减小，使上临界磁场增加；当温度接近 临界温度时，超导电性减弱，相干长度对上临界磁场的影响减弱。上临界磁场与能带的各 向异性有关，盯带比万带对上临界磁场的影响大。 (2)有效相干长度在较低温度下对温度和角度的依赖关系不是很明显，只在临界温度 附近才表现的比较明显，随着外加磁场与轴夹角的增大有效相干长度逐渐减小。 (3)随着温度的增加，临界速率和临界电流密度减小，穿透深度则增加：随着角度的 增加，临界速率和穿透深度增加，临界电流密度则减小。 关键词：各向异性；掺杂；扩展GL理论 Abstract that isa with A numberof andtheoreticalresearchshowMgB2 large experimental system two two totwodistinct ofbands．111c ofthe gaps．thegapscorrespond groups superconductivity ofthetwo isderivedfrom盯 is theelectronicofBoron．One gaps mainlyprovidedby system ofB formtwo element,whichhole-type antibondingP删orbitals deformed Fermi other and surface(FS)sheets；thefrom筇bandingantibonding cylindrical P， formtwo3Dnear FSsheets．The betweenthe orbitalsofB which elemenL isotropic coupling the is resultsina holesinthe仃-bandand very largerenergygap；while phononsstrong,which theelectr