能带理论与半导体-10.pptVIP

中国人民大学理学院化学系 Department of Chemistry, Renmin University of China 价带顶的电子在外加电场下有： 说明价带顶多数电子的运动完全可以用很少的空状态表示出来，空状态粒子具有正电荷和正的有效质量，定义为空穴。 价带的电子填充和空状态 正电荷占据原始空状态的新概念 中国人民大学理学院化学系 Department of Chemistry, Renmin University of China 1.4 硅和砷化镓的k空间能量图 面心立方晶体(100)晶面的[100]和[110]方向 电子在不同方向上的运动会遇到不同的周期性势场，从而产生不同的k空间边界，晶体中的E-k关系是k空间方向的函数。 中国人民大学理学院化学系 Department of Chemistry, Renmin University of China [100]和[110]晶向能带结构 对于金刚石或闪锌矿类型的晶格，价带顶和导带底出现在k=0沿着两个晶向之一的方向上。 中国人民大学理学院化学系 Department of Chemistry, Renmin University of China 对边长为a的晶体中运动的自由电子： 1.5 状态密度函数 中国人民大学理学院化学系 Department of Chemistry, Renmin University of China 单位体积、单位能量的量子态密度为： 对于半导体导带： 价带： 中国人民大学理学院化学系 Department of Chemistry, Renmin University of China 1.6 统计分布 实际应用中，涉及的主要为粒子的整体统计学状态，而不是其中某一个粒子的状态。 确定粒子在有效能态中的分布有三种统计规律： 麦克斯韦-玻尔兹曼分布 玻色-爱因斯坦分布 费米-狄拉克分布 将 个粒子排列到第 个能级 中的方式总数为： 中国人民大学理学院化学系 Department of Chemistry, Renmin University of China 由于粒子不可分辨，自身的 个排列方式不应计算在内，因此， 个粒子在第 个能级中分布的概率为： 如， n 个能级所有粒子排列方式的总数为： 要求保持粒子总数和总能量不变的前提下，改变 能级中的 来改变粒子的分布，获得 的最大值，使概率分布最大： 中国人民大学理学院化学系 Department of Chemistry, Renmin University of China 概率密度函数为： 密度数 为单位体积单位能量的粒子数， 为单位体积单位能量的量子状态， 为费米-狄拉克分布（概率）函数，表示能量为E的量子态被电子占据的可能性，或被电子填充的量子态占总量子态的比率。 中国人民大学理学院化学系 Department of Chemistry, Renmin University of China 分布函数和费米能级: 1 0 E T0 T=0 E=EF E=0 金属 价带 中国人民大学理学院化学系 Department of Chemistry, Renmin University of China 1 0 E T0 T=0 E=EF E=0 导带 绝缘体 Eg=3~10eV 价带 中国人民大学理学院化学系 Department of Chemistry, Renmin University of China 1 0 E T0 T=0 E=EF E=0 导带 半导体 Eg=0.1~3eV 中国人民大学理学院化学系 Department of Chemistry, Renmin University of China 中国人民大学理学院化学系 Department of Chemistry, Renmin University of China 硅半导体 （silicon） 锗半导体（germanium） 本征半导体 1.09eV 费米能级 价带 导带 0K 300K 0.72eV 费米能级 价带 导带 n-type semiconductors Si Si Si Si Si Si Si Si P Si 中国人民大学理学院化学系 Department of Chemistry, Renmin University of China 能带理论与半导体（I） 中国人民大学理学院化学系 Department of Chemistry, Renmin