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片式固体钽电容-Sunlord
片式固体钽电容
2011.05
深圳顺络电子股份有限公司
目 录
钽电容性能
钽电容应用
深圳顺络电子股份有限公司
钽电容特征
固体钽电容器电性能优良,工作温度范围宽,而且形式多样,体积
效率优异,具有其独特的特征:
比容量高,适于小型化
优 自愈能力强
点 能很方便地获得较大的电容量
温度稳定性良好
• 耐压较低
不
• 具有正负极性,不可接错
足
• 价格较贵
深圳顺络电子股份有限公司
钽电容的结构
深圳顺络电子股份有限公司
钽电容的电性参数
参数 测试仪器 测试频率 测试信号
CR (电容量) HP4263B 120Hz 1000mV
tg δ(损耗) HP4263B 120Hz 1000mV
I0 (漏电流) TH2686 DC VR
ESR (等效串联电阻) HP4263B 100KHz /
深圳顺络电子股份有限公司
术语解释
CR (电容量)
标称的额定容量,它是作为等效串联电路的容量测试的。
单位:法拉(F),常用单位:微法(uF)
3 6 9 12
换算如下:1F=10 mF =10 F =10 nF=10 pF
容量的实际值和额定值之间可允许的偏差,K=±10%,M=±20% 。
标称容量是指钽电容的标称额定容量,其测试条件是25℃、120Hz频
率和1V;直流偏置会造成电容值略微降低;电容值随频率的增加而减
少,随温度的升高而升高。
有效容量随频率的增加而减少。超过100KHz ,容量继续下降直至
达到谐振点(一般在0.5-5MHz 之间,决定于额定值)。超过谐振频率,
元件变成电感。
深圳顺络电子股份有限公司
术语解释
VR (额定电压)
额定电压是可以连续工作在85℃的额定直流电压。
额定电压
(V ) 2.5 4 6.3 10 16 20 25 35 50
电压代号
(V ) e G J A C D E V T
类别电压(Vc):可以连续加到电容器上的最高电压,它等于+85℃时
的额定电压。施加的电压超过此温度必须线性降额,125℃时应降到2/3
V 。
R
浪涌电压(Vs):可以在短时间内可以加到电容器上的最高电压,包括
AC峰值电压,DC偏置电压和瞬间过压之和。
深圳顺络电子股份有限公司
术语解释
tg δ(损耗)
损耗是电容器中能量损失的度量,在120, 1.0 vrms,+25°C下测试。
直流偏置会造成损耗值略微降低。损耗定义为钽电容的耗能与储能的比
值,也就是ESR和容抗的比值,用百分比表示。损耗与电容
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