片式固体钽电容-Sunlord.PDF

片式固体钽电容 2011.05 深圳顺络电子股份有限公司 目 录 钽电容性能 钽电容应用 深圳顺络电子股份有限公司 钽电容特征 固体钽电容器电性能优良，工作温度范围宽，而且形式多样，体积 效率优异，具有其独特的特征： 比容量高，适于小型化 优 自愈能力强 点 能很方便地获得较大的电容量 温度稳定性良好 • 耐压较低 不 • 具有正负极性，不可接错 足 • 价格较贵 深圳顺络电子股份有限公司 钽电容的结构 深圳顺络电子股份有限公司 钽电容的电性参数 参数 测试仪器 测试频率 测试信号 CR (电容量) HP4263B 120Hz 1000mV tg δ(损耗) HP4263B 120Hz 1000mV I0 (漏电流) TH2686 DC VR ESR (等效串联电阻) HP4263B 100KHz / 深圳顺络电子股份有限公司 术语解释 CR (电容量) 标称的额定容量，它是作为等效串联电路的容量测试的。 单位：法拉(F),常用单位：微法(uF) 3 6 9 12 换算如下：1F=10 mF =10 F =10 nF=10 pF 容量的实际值和额定值之间可允许的偏差，K=±10%，M=±20% 。 标称容量是指钽电容的标称额定容量，其测试条件是25℃、120Hz频 率和1V；直流偏置会造成电容值略微降低；电容值随频率的增加而减 少，随温度的升高而升高。 有效容量随频率的增加而减少。超过100KHz ，容量继续下降直至 达到谐振点(一般在0.5-5MHz 之间，决定于额定值)。超过谐振频率， 元件变成电感。 深圳顺络电子股份有限公司 术语解释 VR (额定电压) 额定电压是可以连续工作在85℃的额定直流电压。 额定电压 （V ） 2.5 4 6.3 10 16 20 25 35 50 电压代号 （V ） e G J A C D E V T 类别电压(Vc)：可以连续加到电容器上的最高电压，它等于+85℃时 的额定电压。施加的电压超过此温度必须线性降额，125℃时应降到2/3 V 。 R 浪涌电压(Vs)：可以在短时间内可以加到电容器上的最高电压，包括 AC峰值电压，DC偏置电压和瞬间过压之和。 深圳顺络电子股份有限公司 术语解释 tg δ(损耗) 损耗是电容器中能量损失的度量，在120, 1.0 vrms，+25°C下测试。 直流偏置会造成损耗值略微降低。损耗定义为钽电容的耗能与储能的比 值，也就是ESR和容抗的比值，用百分比表示。损耗与电容