2011上学期第一次期中考解答-屏东高工教学部落格.docVIP

國立屏東高工 100學年度第1學期 電子電路期中考解析 命題 教師 范佐輝 班級 電子三甲 座號 姓名 ◎ 單選題，共33題，每題2.5分 (　D　) 1. 某矽二極體在溫度20(C時之逆向飽和電流為5nA，若溫度上升至50(C時，則逆向飽和電流變為 (A)150nA　 (B)100nA　 (C)4nA　 (D)40nA 【詳解】Ge鍺的逆向飽和電流，隨著溫度升高6(C時增加一倍Si矽的逆向飽和電流，隨著溫度升高10(C時增加一倍， (　C　) 2. 如圖所示 ，設D1、D2為理想二極體，試求 (A)1V　 (B)2V　 (C)3V　 (D)4V 【詳解】利用重疊定理，看12V時先將2V短路，可得Vo如下　對D1作順偏，D2逆偏反之看2V時，將12V短路，可得Vo如下　對D1　作逆偏，D2順偏但3V 1V　故D1 ON，D2 OFF　得 (　D　) 3. 如圖所示電路中 ，稽納二極體之，則VL為 (A)6.7V　 (B)5V　 (C)4.3V　 (D)5.7V (　B　) 4. 如圖所示電路 ，假設稽納（Zener）二極體之，，，試求稽納二極體能適當工作在崩潰區之最小負載電阻值RL約為何？ (A)1.2k(　 (B)0.8k(　 (C)2.5k(　 (D)0.5k( (　D　) 5. 請使用二極體近似模型計算如圖之電路 ，假設二極體D1與D2之切入電壓Vr = 0.7V、順向電阻Rf = 200Ω、及逆向電阻Rr = (，電路中之RS = 1.8kΩ及RL = 12kΩ，當V1 = V2 = 2V，請問Vo = ？  (A)0.15V　 (B)1.8V　 (C)0.1V　 (D)1.2V 【詳解】將圖化成利用節點電壓法可求出Vo：，， (　B　) 6. 一純矽半導體，本質濃度，原子密度為，若於每109個矽原子摻入1個施體（Donor）雜質，則其電洞濃度為多少？ (A)　 (B)　 (C)　 (D) 【詳解】電子濃度施體濃度， (　A　) 7. 元件D為理想二極體，輸入電壓及電路如圖所示 ，則輸出波形Vo為： (A)　 (B)　 (C)　 (D) 【詳解】Va電壓：得(1)Va正半週時D ON；(2)Va負半週時D OFF； (　C　) 8. 如圖 所示為一截波電路Vi與Vo之關係曲線為： (A)　 (B)　 (C)　 (D) 【詳解】(1)Vi正半週時D ON，(2)Vi負半週時|Vi| |VR|時D ON；|Vi| |VR|時D OFF； (　B　) 9. 求如圖 所示箝位器之輸出波形，令輸入Vi如上圖之左圖（忽略電容充放電，假設二極體D為理想二極體） (A)　 (B)　 (C)　 (D) 【詳解】(1)Vi負半週時：D ON，Vc充電至(2)Vi正半週時；D OFF， (　A　)10. 一直流電源電壓為30V，內阻2(，滿載所提供之電流為2.5A，則此電源之電壓調整率為 (A)20%　 (B)15%　 (C)10%　 (D)5% (　D　)11. 如圖所示 ，則Vo約為： (A)10V　 (B)20V　 (C)30V　 (D)V 【詳解】；； (　A　)12. 如圖 所示之中間抽頭式變壓器電路中，，，且D1、D2皆為理想二極體，則Vo之平均直流電壓為： (A)–6.37V　 (B)–3.18V　 (C)3.18V　 (D)6.37V 【詳解】故知 (　D　)13. 考慮如圖 所示電晶體電路，設電晶體的參數如下：，，，β = 100，則此電路在直流工作點的集極電流為 (A)25mA　 (B)20mA　 (C)15mA　 (D)10mA 【詳解】此為PNP電晶體故VBE應為–0.7V；題目有誤…輸入迴路方程式 (　D　)14. 如圖所示 ，若電晶體的值為50，則RB電阻應選用多少，才能使電晶體工作於飽和區？ (A)100k(　 (B)80k(　 (C)60k(　 (D)40k( 【詳解】故選40k( (　C　)15. 有一線路圖如右圖所示 ，下列敘述何者錯誤？ (A)R1斷路時，VB接近0　 (B)R1斷路時，VC接近VCC　 (C)R4斷路時，VC接近0V　 (D)R1斷路時，VE接近0V 【詳解】R4斷路時，電晶體截止，故 (　D　)16. 如圖所示，若β = 100，則直流偏壓電壓VCE約為： (A)5伏特　 (B)6伏特　 (C)7伏特　 (D)8伏特 (　A　)17. 如圖所示電路中 ，其中伏特，，，，β = 200，若伏特，則集極電流約為多少毫安？ (A)1　 (B)5　 (C)10　 (D)15 (　A　)18. 如圖 及圖 ，RB應為多少才能滿足Q點之條件？ (A)430k(　 (B)43