脉冲式射频电流电压曲线和沃特拉模型之建立.pdfVIP

行政院國家科學委員會專題研究計畫 成果報告 脈衝式射頻電流電壓曲線和沃特拉模型之建立(第 2年) 研究成果報告(完整版) 計 畫 類 別 ： 個別型 計 畫 編 號 ： NSC 98-2221-E-110-032-MY2 執 行 期 間 ：99年08月01日至 100年10月31日 執 行 單 位 ：國立中山大學電機工程學系（所） 計 畫 主 持 人 ： 李杰穎 計畫參與人員： 碩士班研究生-兼任助理人員：李彥霆 碩士班研究生-兼任助理人員：陳禹何 碩士班研究生-兼任助理人員：楊博翔 碩士班研究生-兼任助理人員：陳志杰 碩士班研究生-兼任助理人員：蘇柏榮 大專生-兼任助理人員：廖偉程 大專生-兼任助理人員：廖信強 大專生-兼任助理人員：林志明 博士班研究生-兼任助理人員：林煒程 公 開 資 訊 ： 本計畫涉及專利或其他智慧財產權，2年後可公開查詢 中 華 民 國 101 年 01月 20 日 中 文 摘 要 ： 本研究分析假晶式高電子遷移率電晶體(pHEMT)以及金氧半場 效電晶體(MOSFET)，在施予射頻信號情況下分析元件之動態 行為。藉由脈衝式及射頻電流-電壓曲線之結果來建立出元件 的大信號模型。此外，以沃特拉級數(Volterra-Series)分析 了非線性轉導與非線性電導此兩非線性源所表現出的非線性 行為，包含諧波與交互非線性的貢獻，以反映出準確的射頻 元件的操作實際特性。在沃特拉級數中，以射頻量測方式所 萃取出來的射頻轉導與電導取代掉直流的部份，進一步以一 個可靠的分析過程更改了沃特拉核(Volterra kernels)，獲 得較為準確電路高頻操作特性。未來將可應用該量測方法以 及分析程序提供微波單晶電路(MMIC，monolithic microwave integrated circuits)的設計分析和應用之考量。 中文關鍵詞： 假晶式高電子遷移率電晶體、金氧半場效電晶體、射頻電流 電壓、大信號模型、沃特拉級數、單晶體微波積體電路 英 文 摘 要 ： In this work, the dynamic characteristics of the pseudo-morphic high electronic mobility transistor (pHEMT) and metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFET) are analyzed by applying the radio frequency (RF) signal. Through the radio frequency current voltage (RF I-V) and the pulsed I- V, the large signal model is established. In