晶圓加工成形详解.pdfVIP

3-5 晶圓加工成形(Modification) 晶圓成形一詞，顧名思義，指的是 將矽單晶棒製造成矽晶圓片(Wafer) 之製程。晶圓成形製程中所包含之 製造步驟，視不同的晶圓生產廠商 而有所增減。在本文中所指之晶圓 成形如圖3-10所示，主要包括了結 晶定位(Orientation) 、切片 (Slicing) 、晶邊圓磨(Edge Contouring) 、晶面研磨(Lapping) 、 化學蝕刻(Etching) 、去疵法 (Gettering) ，以及各步驟間所需之 潔淨製程(Cleaning) 。最後，文中將 討論在各製造程序上，所須用到檢 測方法與常用之工業標準 (Standards) 。 在前面，我們提到過矽晶圓係由半導體級之矽單晶棒所生產 出，由於矽單晶棒之製造為一耗時且高成本的製程，因此，晶 圓成形製程之首要目的，在於如何提高矽單晶棒的速回率，亦 即將矽單晶材料之浪費降至最低。 此一目標之達成，主要需藉由晶圓厚度之控制與降低切損(Kerf Loss)二者來達到。晶圓成形製程的第二個目的為提供晶圓二個 高平行度與平坦化(Flatness)之潔淨表面。高平坦度之晶圓表面 對半導體啟元件製造中，圖案移轉製程(Pattern Transfer)具有相 當關鍵之影響。矽晶圓除了須具有良好之表面特性外，其表面 物質仍需與內層(Bulk)之材料物質一致。單晶矽為一脆性材料， 在晶圓成形製程中之加工製程（切磨），皆會在晶圓表面造成 許多微觀之缺陷(Micro Defect) ，例如：差排、微裂縫(Micro- Crack) 、應力(Stress) ，而這些晶體上之缺陷，常會影響半導體 中載體(Carrier)之行為。因此，維持晶圓表面結晶、化學與電性 等行為與其內層材料之一致性，為晶圓成形的第三個目的。 3-5-1 切片(Slicing) 切片是晶圓成形的第一個步 驟，也是相當關鍵的一個步 驟。在此步驟中，決定了晶圓 幾個重要的規格： •晶面結晶分法(Surface Orientation) •晶圓厚度 •晶面斜度(Taper)與曲度 (Bow/Warp) 切片之流程如圖3-11所示。 3-5-1-1 晶棒黏著(Mounting): 晶棒來到切片製程時，已是磨好外徑與平邊(Flat/Notch) ， 因此在切片前，必需將晶棒穩固的固定在切片機上。在八 吋的矽晶圓上，結晶方位之偏差需控制在1°以內，而尺寸 的精度亦是以微米(Micrometer)為單位來考慮，因此晶棒黏 著的穩固物是十分重要的。一般晶棒在切片前是以臘或樹 脂類的黏結劑黏著於與晶棒同長之石墨條上。石墨條除了 具有支撐晶棒之作用外，同時還有防止鋸片對晶圓邊緣所 造成之崩角現象(Edge Chipping) ，與修整(Dressing)鋸片之 效果。 3-5-1-2 結晶定位(Orientation): 矽單晶棒成長的方向為100或111 ，可與其幾何軸向平 行，或偏差一固定角度。因此，晶棒在切片前需利用X-光 繞射的方法，來決定晶棒在切片機上正確的位置。 3-5-2 晶邊圓磨(Edge Contouring) 晶邊圓磨之主要目的有三： A. 防止晶圓邊緣碎裂 晶圓在製造與使用的過程中，常會遭受晶舟(Cassette Boat) 、 機械手(Robot)等之撞擊，而導致晶圓邊緣破裂(Edge Chipping) ，形成應力集中之區域。而這些應力集中之區域會 使得晶圓在使用中不斷的釋放污染粒子(Particle) ，進而影響產 品之良率。 B. 防止熱應力(Thermal Stress)之集中 晶圓在使用時，會經歷無數之高溫製程，如氧化、擴散、薄 膜成長等，當這些製程中產生熱應力之大小超過矽晶格 (Lattice)之強度時，即會產生差排(Dislocation)與滑移(Slip)等 材料缺陷，晶邊圓磨可避免此類材料缺陷在晶邊產生。 C. 增加磊晶層／光阻層在晶圓邊緣之平坦度 在磊晶製程中，銳角(Sharp Corner)區域之成長速率會較平面為 高，因此使用未經圓磨之晶圓，容易在邊緣產生突起，如圖3- 12 。同樣的，在利用旋轉塗布機(Spin Coater)上的光阻 (Photoresist)時，光阻液亦會發生在晶圓邊緣堆積之現象。這些 不平整的邊緣皆會影響光罩對焦之精確性。 晶邊圓磨製程可利用化學蝕刻(Chemical Etching) 、晶面特磨 (Lapping)以及輪磨(Grinding)之方式來達成，其中以輪磨的 方式最為穩定。 輪磨主要是利用高速旋轉之鑽石砂輪來研