集成电路的基本介绍课件(3962KB).pptVIP

* ?1.1.1 工艺流程（续7） ?钝化 P-Sub N+ N+ N- N- P+ P+ P+ P P ?光刻钝化窗口 ?后工序 * ?1.1.2 光刻掩膜版汇总 埋层 ?隔离 ?硼扩 ?磷扩 ?引线孔 ?金属 ?钝化 * ?1.1.3 隔离的实现 1.P+隔离扩散要扩穿外延层，与p型衬底连通。因此，将n型外延层分割成若干个“岛” 。 2. P+隔离接电路最低电位，使“岛” 与“岛” 之间形成两个背靠背的反偏二极管。 N+ N+ N--epi P N--epi P P-Sub (GND) P-Sub (GND) P-Sub (GND) B P-Sub SiO2 光刻胶 N+埋层 N–-epi SiO2 P+ P+ P+ SiO2 N–-epi P P N+ N+ N+ N+ C E C E B B 钝化层 * ?1.1.4 外延层电极的引出 外延层参杂浓度较低，与金属相接处易形成整流接触（金属—半导体势垒二极管）。因此，外延层引出电极处应增加浓扩散。 B P-Sub SiO2 光刻胶 N+埋层 N–-epi P+ P+ P+ SiO2 N–-epi P P N+ N+ N+ 钝化层 N+ C E C E B B * ?1.1.5 埋层的作用 B P-Sub SiO2 光刻胶 N+埋层 N–-epi P+ P+ P+ SiO2 N–-epi P P N+ N+ N+