题目：纳米硅氧化硅材料体系发光特性研究.docVIP

题目： 分子导线的研究进展 适合专业：物理学 指导教师： 赵朋 论文基本内容介绍 传统的硅基器件由于受到基本物理规律和制造工艺的限制，其尺寸不可能无限地减小。通常人们认为20-30 nm（即P-N结耗散区的宽度）可能是器件特征尺寸的物理极限。在接近这一极限时，量子效应（如载流子隧穿等）会造成器件漏电流的增加，并且制造成本会大幅度提高。如何超越这些极限，推动电子学的进一步发展已经成为本世纪初世界范围内所面临的最重大的科学问题之一。近年来，大量研究表明，采用自下而上的制造路线，发展分子电子学进而构建分子器件和分子电路，完全有希望突破传统器件的物理极限，实现电子学的又一次飞跃。分子导线是分子器件之间或分子器件与宏观世界连接的桥梁，是实现分子电路的关键单元。分子导线通常是具有一定长度的共轭分子，在这种分子中，高度离域的π轨道提供了电子输运的通道。从分子器件概念的提出到现在，分子导线的发展得到了广泛的关注。分子导线的深入发展对研究分子体系电荷传输的机理具有重要的意义。本论文主要综述分子导线的发展历史、种类、测量方法等内容。 需要的基础与基本要求 态度认真 英语基础良好，能够独立阅读英文文献 做论文的时间充裕 有查阅英文文献的条件 题目： 分子开关的研究进展 适合专业：物理学