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GaN用衬底材料LiGaO2晶体超精密抛光的初步实验-光学精密工程
5 5 Vol. 5, No. 5
1997 10 OPTICS AND PRECISION ENGINEERING October, 1997
GaN LiGaO2
谢 伦 高宏刚 陈 斌 曹健林
( 中国科学院长春光学精密机械研究所, 应用光学国家重点 验室, 长春130022)
王建明 刘 琳
( 中国科学院物理研究所, 北京1000 0)
GaN LiGaO
2
SiO2 , ,
0. 1 mm,
: ; ; ; LiGaO2; SiO2
1
, ,
, ( GaN)
( ) = 3. 39 ,
Direct band gap Eg eV
GaN ,
GaN GaAsAl2 O3
, 2 3 , 2 3 13% ,
Si MgO Al O Al O GaN
[ 12]
, 2 2
GaN LiGaO LiAlO Si
ZnOGaN LiGaO2 GaN
0. 2%, . (
P kung MOCVD metalorganic chemical vapor
) , 700 - 2 , 2 3
deposition LiGaO GaN A l O
GaN 300 -LiGaO2 GaN GaN M QW
[ 3]
3. 44 eV, 1 0 meV
: 1997 6 10
5 5
LiGaO2 ,
,
, ,
,
LiGaO2
,
2
LiGaO2 Czochralski
3 mm , 3000 rpm5000
rpm, 0. 01 mm, 0. 02 mm, 0. 5
10103 mm,
W40W20W 10 ,
, Logitech PM4
,
W7( 75 m) ,
3
3. 1
:
, ; ,
,
[ 4]
2 , 2 1020 2
SiO SiO mm
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