常见问题答疑1指出晶体管3DD15A的结构类型工作频率功率.PDF

第2 章 常见问题答疑 1.指出晶体管3DD15A 的结构类型、工作频率、功率大小和所用半导体材料等信息。 答：硅材料、NPN 型低频大功率管。 2. 图2.1.5 所示晶体管输出特性曲线族中无 iB=50μA 时的iC 曲线，若需要这一曲线， 你认为该怎么办？ 图2.1.5 共射输出特性曲线 答：在i =40μA 和i =60μA 两条曲线的正中间再描画一条平行曲线。 B B 3.要使光电三极管集电结反偏、发射结正偏，其发射极电位与集电极电位哪一个高？ 答：集电极电位高。因光电三极管类似于NPN 晶体管，光电三极管集电结反偏、发射 结正偏，才能正常工作，必须满足U U U 。 C B E 4. 晶体管有哪三个区、哪两个PN 结？晶体管的共射输出特性曲线分为哪几个区？ 答：三个区：集电区、发射区、基区；两个PN 结：集电结、发射结； 晶体管的共射输出特性曲线分为放大区、饱和区、截止区和击穿区等4 个区。 2. 如何根据电路中晶体管各引脚对地电位的大小来判断晶体管的工作状态？ 答：根据电路中晶体管各引脚对地电位的大小，如果算出该晶体管的发射结正偏、集电 结反偏，则处于放大状态；如果两个结均正偏，则处于饱和状态；如果发射结零偏或反偏， 则处于截止状态。 3. 能否通过如图2.1.5 所示的共射输出特性曲线近似估算晶体管的电流放大系数β？ 答：可以。 在图中UCE=4V 处作一横坐标的垂线，IB2=80 μA 特性曲线相对应纵坐标读数IC2=3mA ， 即当IB2=80 μA 时，IC2=3mA 。IB1=60 μA 特性曲线相对应纵坐标读数IC1=2.2mA ，即当IB1=60 μA 时，IC1=2.2mA 。 i 3000 2200  800  C UCE 常数= =40 i 80 60  20 B 4. 当温度升高时，晶体管的β、ICBO 、U(BR)CEO 将按什么规律变化？ 答：β、ICBO 均增大，U(BR)CEO 减小。 5. 晶体管的选用应注意哪些问题？ 答：主要是电流放大系数β、工作频率范围、极间反向电压、最大工作电流和耗散功率 等参数要得到满足。 6. 光电三极管使用时应注意哪些问题？ 答：在使用时，光电三极管必须外加偏置电路，以保证光电三极管集电结反偏、发射结 正偏。工作时电压、电流、功耗等不允许超过其最大值。 2.2 共射基本放大电路 为什么Ro 越小，电压放大电路的带负载能力越强？ 答：Ro 越小，当负载大小发生变化时，电路的输出电压变化越小，故带负载能力越强。 要使图2.2.4 （a)所示电路工作点提高，即ICQ 升高，应调整什么元 件？怎么调整？ （a) （b ） 图2.2.4 共射基本放大电路及其直流通路 （a)共射放大电路 （ b ）直流通路 答：调整基极电阻R 。减小R ，使I 增大，提高工作点。 b b B 图2.2.4 （a)所示电路偏置电阻R 由300kΩ改为100kΩ时，U 实际值 b CEQ 应为多大？ 答：此时三极管处于饱和状态，U 约为零点几伏（0.3V 左右）。应计算求得，计算后 CEQ 得UCEQ ≤0.3V(包括负