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第五章微电子芯片的失效分析 江素华 复旦大学材料科学系 内容提要 1. 芯片结构及元器件工作原理 2. 芯片失效机理 3. 芯片失效分析技术 芯片的制造：单晶、硅片、晶圆、芯片、 封装、组装 集成电路的发展 集成电路的发展 5 补偿性超效应晶 体管器件结构剖 面示意图 芯片多层互联线 芯片互联结构实 结构剖面示意图 物照片 双极型晶体管原理 电子材料与器件工艺－绪论 7 双极型晶体管工艺 双极型晶体管工作原理 E C 放大条件： + n p n I I o e c 1 W L b nb RE B R 2o 发射结正偏 L V I V be b cb 3o 集电结反偏 MOS场效应晶体管原理（NMOS） CMOS 工艺流程 器件的不断小型化 2. 芯片的失效机理 2.1 氧化层击穿 2.2 热载流子效应 2.3 薄膜的相互扩散 2.4 静电放电及辐射 2.5 金属互联电迁移 2.1 氧化层击穿 • 在强电场作用下，绝缘体中出现局部的 低阻通道。 • 随着氧化层厚度减小，电场增加，击穿 问题成为研究热点。 介质薄膜的击穿过程 • 一般击穿分成两个过程： – 电击穿：强场下载流子雪崩，产生大量电子、 空穴，电阻突降。 – 热击穿：局部电流密度增大，温度升高产生 热奔驰，使薄膜熔化或产生其他损坏。 介质薄膜电击穿的分类 • 非本征击穿——其击穿强度较低。 • 本征击穿是指材料自身特性所限制而发生的击 穿——击穿强度较高。 关于氧化层击穿理论的发展 1. 电子贡献的总能量而非单个电子的能量。 2. 热奔驰现象。 3. 电子和原子晶格之间的碰撞而产生的电 子倍增或雪崩现象。 4. 阴极场发射电荷注入。 5. 可动电荷。 6. 介质表面粗糙度引起的电场增大。 7. 由碰撞电离引发的内部电场畸变。 8. 界面态 氧化层导电机制 注入氧化层的电流有： 1. 热载流子电流 2. 场助隧道电流(Fowler-Nordheim F-N电流) 3. 直接隧道电流 4. Poole-Fr