硅太阳能电池的开发现状及应用.doc

硅太阳能电池的开发现状及应用 {7一 :材料应用: ,………t, 窝钛酸钡的应用 钍酸钡最常用的形式是具有钙钍矿的AB岛晶体结构混合金属氧化物.钙钍矿具有的 特性使之应用于许多电子设备.其它的钛酸韫盐,倒如BTo具有不同的性质而被用于 微波谐振器. 在19世纪50年代.钛酸钡替代水溶性的压电晶体用作早期的潜艇探测器.不同的钍 酸钡用途如下:圆片式电容器,热敏电阻,电荧光板,多层冉瓷电容器(McOcs)和压电设 备.还有多重性质可应用于屏蔽和静电控制. 钛酸钡有80%用于多层陶瓷电容器.现在多层陶瓷电容器原料消耗每年近6000t;亚 洲占60%.美国占20%.欧iHl占15%.这种技术在过去的10年中取得了迅猛发展,主要 在于提高其性能,减少粒度.尽管电容器产量不断增长,但尺寸的减小却预示着产量B大 于2∞00支/kg.这样使粉束的消耗率减少. 钛酸钡的嗣取有几条途径.最常用的是镀烧Bac和TiO2,另一种是湿法:Bacl2和 Tick加草酸生成水台草酸盐.再焙烧生成B且Ti岛.其它的技术,象有机,共沉淀或优先沉 淀都会导致腰粒或辅助的分布优势.目前.这一工艺由于经费和工艺难度还不能付诸实 掩. 铁酸钡重要的性能参数是:化学纯度,晶粒,粒度和A和B的比倒.在生产过程中要 严格控制以生产不同类型的介电化合物. 铁酸钡很少单独使用.峰电性能在125℃发生.这没有什么实用价值.峰特性曲线通 过移动装置,压延机.助熔剂和其它的添加剂改变烧结行为.电介质的构成通常用EIA来 描述电参数.x7R(主要要求是保持25℃时的电容量,在一55～一125℃±15%). 电容器的生产条件决定了使用的化合物形式.每个MLCc生产者有不同的工艺,不同 的电极类型(Pd,70%Pb—Ag.30%Pb—Ag.PbNi).不同的电极需要不同的原料.每一 层熔铸厚度可小至4m.但工业上层厚度太部分在7—25m,每个MLcc可选250层. 预测表明MLCc的使用将伴随着半导体工业的发展而持续增长.这将是钛酸钡的主 要用途. (慕振平摘译,97—3—22) 用金属合金减少陶瓷封装帽中的应力 20年来.半导体封装业界一直在寻找某种金属合金来生产密封帽,这种合金的热胀系 数(cTE)应与封装高可靠性Ic的陶瓷材料的cTE相同K0var台金(Ni—C0合金)在这 方面比较匹配.开始得到广瑟使用;后来42号台金(Ni混合物)由于成本较低也被采 用;但对较大尺寸的封帽,这两种合金都不理想.约翰逊?马塞电子公司用45号合金解决 封靖与封装材料之间的密封问题.. t一15— 热应力和cTE陶瓷封装一般要用金属密封帽,它是用低熔点焊料焊接到氧化铝芯 片载体上的.只要陶瓷封装材料与帽之间的cTE不匹配就会产生热应力.对军工和民用, 所经受的温度范围分别为一65～l50℃,室温～l20℃.给出了在此温度范围内氧化铝陶瓷 材料与封帽材料(45号合金)的热胀曲线.正常的热膨胀有所谓熔点规则和混台物起 则:熔点较高的材料有较低的cTE,机械混合物的cTE与组分近似干线性关系(因各成分 之间没有相互作用)作为封帽材料从室温到350℃须有小的膨胀以与陶瓷衬底材料有较好 的匹配;Fe—Ni基合金由于是铁磁材料有着非正常热膨胀,在居里点以下其cTE与陶瓷材 料接近. 初步研究1992年.两家主要半导体制造厂发现用42号,45号合金可代替Kovar 来制作封帽,经剩余应力,热冲击等试验,证明45号合金优于Kov,但由于所测样品太 小.还不能肯定它髓否用于生产为从理论上说明45号合金的性能,提出了有关的应力模 型以计算系统在经受热循环时.焊点上最大剪切应变和应力,其表式为:△7=D△(cTEx △T)/2hz=Ge△式中,是焊点中的剪切应变.D是两焊点间中心距.h是焊点高度, △T是热循环的温差.z是焊点中的剪切应力,Ge是焊接材料在剪切力作用下的刚性嫫量= 用作封帽的Fe-Ni基合金有较高的机械强度和延展性.对相应的热应力可发生弹性形变; 陶瓷衬底可耐受较大的压缩应力但断裂韧性小一旦系统设计不当和(或)经受不合理的热 循环,陶瓷村底将由于张力作用雨受损.为尽量减少热应力以.尽可能提高其可靠性.封帽 材料应与陶瓷衬底有良好的cTE匹配.为此,给出了不同包装材料和合金的归一化膨胀曲 线,以便直观看出在一定温度范围内它们之闯的差别. 45号合金的优点在这些封蝎材料中.45号合金在整个温度范围内与陶瓷热辫胀 匹配最好,焊点固化后.在焊点,封帽和衬底中会形成热应力而陶瓷中的热应力是引起封 装失效的根本原因.图示了陶瓷衬底在封装和热循环过程中的应力(计算值).表明:45号 合金是潜在的更可靠的封帽材料,因它减少了封装剩余应力.在280℃形成焊点并冷却到 室温过程中.45号合金只在陶瓷中产生小的压缩应力.雨42号合