07-第7章-半导体存储器和可编程逻辑器件117.pptVIP

T2是门控管 T1是浮栅隧道氧化层MOS管（简称Flotox管） E2PROM存储单元 浮栅 Flotox管剖面示意图 1 状态： 令Wi=1、Yj=0，则T2导通，T1漏极D1接近0电平，然后在擦写栅G1加上21V正脉冲，就可以在浮栅与漏极区之间的极薄绝缘层内出现隧道，通过隧道效应，使电子注入浮栅。 0 状态： 擦写栅接0电平、Wi=1、Yj加上21V正脉冲,使T1漏极获得大约+20V的高电压,则浮栅上的电子通过隧道返回衬底，则浮栅上就没有注入电子,定义为0状态。 根据浮栅上是否注入电子来定义0和1状态 浮栅注入电子是利用隧道效应进行的。 信息写入 读出1： 擦写栅加+3V电压，字线加+5V正常电平，这时T2管导通，若浮栅上有注入电子，则T1不能导通，在位线上可读出1. 读出0: 若浮栅上没有注入电子，则T1导通，在位线上可读出0。 信息读出 擦写栅和待擦除单元的字线上加21V的正脉冲，漏极接低电平，即可使存储单元回到写入0前的状态，完成擦除操作。 早期E2PROM芯片都需用高电压脉冲进行编程和擦写，由专用编程器来完成。 但目前绝大多数E2PROM集成芯片都在内部设置了升压电路，使擦、写、读都可在+5V电源下进行，不需要编程器。 信息擦除 快闪只读存储器是在吸收 E2PROM 擦写方便和EPROM结构简单、编程可靠的基础上研制出来的一种新型器件，它是采用一种类似于EPROM的单管叠栅结构的存储单元制成的新一代用电信号擦除的可编程ROM。 （4）快闪只读存储器（Flash Memory） 与单管叠栅结构EPROM的区别在于浮栅与衬底之间的氧化层厚度（FLASH：10～15nm，EPROM: 30～40nm）。 快闪存储器存储单元 叠栅MOS管剖面示意图 1 状态： 浮栅未注入电子，相当于存储1。 0 状态： 利用雪崩注入的方法使浮栅充电，相当于存储0； 与EPROM相同 信息写入 若浮栅上有注入电子，叠栅MOS管截止，位线输出高电平。 令Wi=1，Vss=0，若浮栅上没有注入电子，则叠栅MOS管导通，位线输出低电平。 信息读出 快闪只读存储器的擦除方法与E2PROM类似，是利用隧道效应来完成的。在擦除状态下，控制栅G处于0电平，源极加入高压脉冲（12V），在浮栅与源区间很小的重叠区域产生隧道效应，使浮栅上的电荷经隧道释放。 由于有的FLASH是全部或分段将源极接在一起的，所以这种FLASH只能全部或按段擦除。 信息擦除 1) 实现组合逻辑函数 用PROM实现组合逻辑函数，其地址译码器实际上是与阵列，把其作为输入变量；存储阵列是或阵列，利用PROM中的最小项，通过或阵列编程，可得到逻辑函数的输出。 3. PROM的应用 ROM,PROM,EPROM及E2PROM除编程和擦除方法不同外，应用时无根本区别。除做存储器之外，还可用来实现组合逻辑函数和数学函数表。 例1：用PROM实现下列逻辑函数 F1(A,B,C)=AB+BC F2(A,B,C)=(A+B+C)(A+B) F3(A,B,C)=A+BC F1(A,B,C)=ABC+ABC+ABC+ABC=Σm(1,5,6,7) F2(A,B,C)=(A+B+C) (A+B+C) (A+B+C) =∏M(2,4,5)=Σm(0,1,3,6,7) F3(A,B,C)=ABC+ABC+ABC+ABC+ABC =Σm(3,4,5,6,7) 推得： 真值表 A B C F3 F2 F1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 1 1 0 1 0 0 0 0 0 1 1 1 1 0 1 0 0 1 0 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 F1=Σm(1,5,6,7) F2=Σm(0,1,3,6,7) F3= Σm(3,4,5,6,7) 1 A ≥1 ≥1 ≥1 F1 F2 F3 1 B 1 C m