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2018-04-05 发布于天津
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构造与特征-富士IGBT

Quality is our message 第 1 章构造与特征目录 1. 元件的构造与特征1-2 2. 富士电机电子设备技术的IGBT 1-3 3. 通过控制门极阻断过电流1-5 4. 限制过电流功能1-6 5. 模块的构造1-6 6. IGBT 模块的电路构造1-7 前言电动机可变速驱动装置和电子计算机的备用电源装置等电力变换器，随着双极型功率晶体管模块和功率 MOSFET 的出现，已经起了很大的变化。这些使用交换元件的各种电力变换器也随着近年来节能、设备小型化轻量化等要求的提高而急速地发展起来。但是，电力变换器方面的需求，并没有通过双极型功率晶体管模块和功率MOSFET 得到完全的满足。双极型功率晶体管模块虽然可以得到高耐压、大容量的元件，但是却有交换速度不够快的缺陷。而功率MOSFET 虽然交换速度足够快了，但是存在着不能得到高耐压、大容量元件等的缺陷。 IGBT （JEDEC 登录名称，绝缘栅双极晶体管）正是作为顺应这种要求而开发的，它作为一种既有功率 MOSFET 的高速交换功能又有双极型晶体管的高电压、大电流处理能力的新型元件，今后将有更大的发展潜力。 1-1 第 1 章构造与特征 1 元件的构造与特征 + IGBT 的构造和功率MOSFET 的对比如图 1-1 所示。IGBT 是通过在功率MOSFET 的漏极上追加p 层而构成的，从而具有以下种种特征。门极门极(G)(G) 源极源极(S)(S) 门极门极(G)(G) 发射极发射极(E)(E) nn nn nn nn nn漏极漏极 pp发射极发射极 nn基极基极－－ nn ＋＋ nn缓冲缓冲 nn nn＋＋ pp＋＋ pp＋＋层层漏极漏极(D)(D) 集电极集电极(C)(C) (1) MOSFET(1) MOSFET的基本结构的基本结构 (2) IGBT(2) IGBT的基本结构