DR平板探测器技术_精品.pdf

DR平板探测器技术 • 主要内容 • 平板探测器的结构与原理 直接平板探测技术 间接平板探测技术 电荷耦合器件探测技术 • 平板探测器的主要参数 空间分辨率、对比度分辨率、像素尺寸、 DQE、 动态范围 • 屏/片、CR与DR系统的比较 一. 总述 • 与屏/片系统及CR系统相比，DR系统的核 心部件为平板探测器，它是一种将X线能量 直接转化为电信号，产生X线图像的检测 器。 • 它可被称为是放射学历史上最为重要的技 术突破之一。 二. 平板探测器的结构与原理 2.1 平板探测器的种类 • 根据探测器技术（X线转换方式）的不同， 可主要分为以下三种。分别为： （1）直接平板探测技术 （非晶硒）； （2 ）间接平板探测技术 （非晶硅+碘化 铯）； （3 ）电荷耦合器件探测器，即CCD转换平板 探测器（X线闪烁体+CCD二极管陈列）； 2.2 直接平板探测技术 这种探测器的结构主要由非晶硒层 ( Amorphous Selenium，a-Se ) 加薄膜晶 体管阵列 ( Thin Film Transistor array， TFT ) 构成。它将X线能量直接转变成数字 信号。 非晶硒平板探测器结构 基本像素单元（探测元）示意图 2.2 直接平板探测技术 • X线转换单元 • 应用非晶硒(a—Se)为光电材料将X线转换 成电子信号。当X线照射非晶硒层时，入射 的 X 射线光子在硒层中产生电子空穴对并 形成电流。 2.2 直接平板探测技术 • 像素矩阵（探测元阵列） • 用薄膜晶体管(TFT)技术在一玻璃基层上组 装几百万个探测元的阵列，每个探测元包 括一个电容和一个TFT，且对应图像的一个 象素。 2.2 直接平板探测技术 • 像素矩阵（探测元阵列） • TFT每个象素具有电荷接收电极，信号储存 电容及信号传输器，通过数据网线与扫描 电路连接。最后由读出电路读取数字信号 并还原成影像。 2.2 直接平板探测技术 • 像素矩阵（探测元阵列） • 场效应管（FET）的开关作用。 • 像素信号逐一按顺序读出、放大，送到A/D 转换器。 2.2 直接平板探测技术 • 应用 • 采用这一技术的有DRC，东芝，岛津， AnRad公司等。现在最著名的是美国 HOLOGIC公司研制和生产的（早期是 DUPONT公司开发研制的）非晶硒层TFT 探测板。 2.3 间接平板探测技术 • 间接能量转换平板探测器的结构由闪烁体或 荧光体层涂上有光电二极管作用的非晶硅层 (amorphous Silicon，a-Si) 再加TFT (Thin Film Transistor) 阵列构成。 碘化铯-非晶硅平板探测器结构 2.3 间接平板探测技术 • 它利用荧光物质（碘化铯）将X线转化为可 见光，在由光电采集电路转换成图像电荷 信号。 Photons Cesium Iodide (CsI) 吸收X线 Light 发射可见光 器 Amorphous Silicon Panel 光吸收 测 (Photodiode/Transistor Array) 探 Electrons 产生电子-空穴 Read Out Electroni