常用半导体器件基础.pptVIP

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  • 2018-04-06 发布于北京
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常用半导体器件基础.ppt

2.1.3 PN结的形成及特性 PN结的形成 在电场力作用下,载流子的运动称为漂移运动。当空间电荷区形成后,在内电场作用下,少子产生漂移运动,空穴从N区向P区运动,而自由电子从P区向N区运动,我们把漂移运动所产生的电流叫做漂移电流。 2)PN结外加反向电压 若将电源的正极接N区,负极接P区,则称为外加了反向电压或者反向偏置。此时外加电压在阻挡层形成的电场与自建场的方向相同,增强了自建场,使阻挡层变宽,如图2-8所示。 (2)PN结的伏安特性 由式(2-1)可知,PN结所加正向电压 时, ,即 随 按指数规律变化;当PN结外加反向电压,且 时, 。如图2-9所示, 与 的关系曲线称为PN结的伏安特性曲线。其中 的部分为正向特性, 的部分为反向特性。 1)PN结的击穿 当反向电压超过一定数值 后,反向电流急剧增加,称之为反向击穿。击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。 2)PN结的电容效应 PN结上电压的变化将会引起PN结内部电荷的变化,从而出现电容效应。。电容效应有两种情况:势垒电容和扩散电容。 2.2 半导体二极管 2.2.1 二极管的基本结构 2.2.2 二极管的伏安特性 2.2.3 二极管的主要参数 2.2.4 二极管等效电路和分析方法 2.2.5 二极管的应用 2.2.6 其它特

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