共平面波导.doc

第一章 緒論 這章主要介紹本實驗的目的、動機以及與其他相關文獻量測技術的比較說明，並敘述共平面波導(CPW)中二維系統電導率的推演過程與量測方法的原理應用。另外，亦加以解釋Shubnikov-de Hass振盪與量子霍爾效應(Quantum Hall Effect)的成因及特性。 1.1簡介 本實驗的目的即利用共平面波導(CPW)對於其本身介質基材的電導率變化會影響其傳播常數()與特性阻抗()的特性，用來探討在低溫(約0.3K)與強磁場作用下(0~10T)，形成於基材表面之二維載子系統的高頻磁傳輸特性(high-frequency magnetotransport properties)。 共平面波導(CPW)多用於微波(microwave)頻段等高頻電路或元件之中，是C. P. Wen 於1969年時首先發表製作的[1]。一般的CPW可直接應用印刷線路板大量設計製造，而應用於微波頻段時，為配合半導體元件的微型化，多以厚膜或薄膜技術製作，一般來說共有三種類型的CPW，分別為Conventional CPW、Conductor backed CPW以及 Micromachined CPW[2]。由於本實驗使用的是第一種類型，故對其他兩種類型的CPW則不多加介紹。 圖1-1-1為Conventional CPW的基本結構，於介質基材表面上由訊號傳輸導體(center strip)與其兩旁的接地金屬面所形成。CPW的特性阻抗(characteristic impedance,)、有效介電常數(effective dielectric constant, )與訊號傳輸導體的寬度(S)及與其兩旁接地金屬面間距(W)的比例有很大的關係，亦與基材本身的介質係數、厚度h以及金屬導體的厚度t有關[3]。當CPW本身介質基材的傳播常數(propagation constant,)與特性阻抗()有著些微的改變時，則會透過傳輸訊號的振幅衰減和相位變化情形而明顯的反應出來。這樣的測量方式，對於導電性不好的絕緣態，或是難以製作電性接觸的量子點系統則特別有用，亦使得我們可進一步地研究低維系統(low-dimensional system)的物理特性。 為了能夠準確地量測其傳播常數的細微變化並且避免造成低溫環境中待測樣品的溫度增加，我們利用本實驗室自行建構一初步可測得訊號源頻率為0.4~3GHz的脈衝式高頻量測系統[4]，配合低溫系統及超導磁鐵，把藉由光微影技術(photolithography )將meandering CPW的圖案(見圖1-1-2)製作於二維系統樣品表面，並將此樣品元件連接於量測系統內，即我們自行組裝之脈衝訊號的type-Ⅱ鎖相迴路(phase lock loop, PLL)中，可以從經由鎖相迴路所直接反映出的頻率變化量()得到由於磁場作用下影響二維系統樣品本身的電導率變化而造成其傳輸訊號改變的相位變化量()。另一方面，我們亦利用系統中可同步進行量測的振幅偵測器(amplitude detector)，即可獲得相同傳輸訊號改變下的振幅 (A)。藉著對上述CPW樣品元件傳輸訊號改變下所量測到的振幅(A)與頻率變化量()並對其作理論推演，我們便能夠得到二維系統的縱向電導率()，包括其實部與虛部的變化情形，進而研究二維系統在整數量子霍爾效應平臺(Integer Quantum Hall Effect plateau, IQHE plateau)中心位置附近之高頻特性的相關探討。 整數量子霍爾效應(IQHE)可以提供我們得以探討在低溫高磁的環境下，二維系統中由於無序(disorder)位勢的變化所引起的侷域與非侷域化的轉變情形(localization-delocalization transition) [5]。位於侷域範圍內的IQHE plateau區域中，其對應的霍爾電導率(Hall conductivity, )會呈現出等於數值的量子化特性，其中e為電子電荷量(electronic charge)、h為普朗克常數(Planck constant)以及為藍道能階填充因子(Landau level filling factor)，且為一整數。在IQHE plateau區域的縱向電導率()則會顯現出接近於零的結果。而根據對於描述在IQHE plateau之間由於磁場變化而造成上述侷域與非侷域化轉變現象的scaling theory[6]中，可以得知與填充因子具有關聯性的侷域長度(localization length,)，將會影響二維系統中磁電導率(magnetoconductivities, and )的行為特性。當磁場位於填充因子為半整數附近的臨界填充因子(critical filling factor,)處時，其縱向電導率()