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Influence of Cladding Layer on Optical Property of Hybrid Plasmonic Nanocavity 翁辰亞 國立臺灣海洋大學光電科學研究所 覆蓋層材料對混合電漿波導型奈米雷射光學性質之影響 2013/1/17 大綱 研究問題-繞射極限 表面電漿 雷射的簡介 混合電漿波導型結構 覆蓋層材料對光場的影響 結論 * * 研究問題 * * 繞射極限 L ε1 ε1 ε2 介電材料波導結構 ε1 ε1 ε2 L * * 表面電漿 表面電漿極化光子 [1]W. L. Barnes et al. , Nature 2003 如何壓縮光？ 表面電漿 εm εm εm εm εs εs 金屬-半導體-金屬波導結構 L L 雷射的簡介 1.輸入源 2.增益材料 3.共振腔 4.輸出耦合 * * [2] 盧廷昌、王興宗，半導體雷射導論，2008 等效折射率(Re[neff]) 模態損失(αi) 侷限係數(Γwg) 閾值增益(gtr) 品質因子(Q) 混合電漿波導型結構 * * 覆蓋層材料對光場的影響 * * air Si3N4 Si Threshold Gain Quality Factor 結論 選擇適當的覆蓋層材料能夠光場侷限在主動層之中。 利用有限元素法分析混合電漿波導型結構，並成功地突破繞射極限，將光場壓縮至奈米尺度。 混合電漿波導型結構能夠使閾值增益低於1000 cm-1，此時將有機會產生雷射光。 * * 誌謝 感謝中央研究院張書維博士、交通大學博士班學生鄭璧如的討論，以及國科會計畫編號：NSC 101-2218-E-019-002之支持，本研究得以順利完成。 * * Thanks for your attention. * * Back up * * 結構尺寸對光學性質的影響 * * 侷限係數(Γwg): 能量侷限主動層的程度 閾值增益(gtr): 形成雷射光所需的增益值 h [2]S.W. Chang et al., IEEE Journal of Quantum Electronics 2009 * * 結構尺寸對光學性質的影響 * * 等效折射率實部(Re[neff]): z方向上波傳的快慢 Re[neff]=Re[kz/k0] 模態損失(αi): 沿著z軸傳播時的衰減程度 αi =2Im[kz] h [3]S.W. Chang et al., IEEE Journal of Quantum Electronics 2009 雷射的簡介 1.輸入源 2.增益材料 3.共振腔 4.輸出耦合 * * [2] 盧廷昌、王興宗，半導體雷射導論，2008 等效折射率(Re[neff]) 模態損失(αi) 侷限係數(Γwg) 閾值增益(gtr) 品質因子(Q) 各位老師大家好,我是翁辰亞,目前就讀於國立台灣海洋大學光電科學研究所,碩士班一年級,本題目是在我就讀機械系時,所做的專題,古 江 鍾 是我的研究夥伴,林資榕老師是我的指導老師,今天要報告的題目是覆蓋層材料對混合電漿波導型奈米雷射光學性質之影響,藉由覆蓋層材料的調變,可將光場集中在主動層之中,並且提升光學性質 * 在接下來的報告中,首先將介紹本研究的物理問題,繞射極限,並且利用表面電漿的特性來克服此問題,接著我們以有限元素法配合電磁學理論和雷射原理分析混合電漿波導型結構的光學性質,,探討覆蓋層材料與結構尺寸對光學參數的影響以及物理意義為何.最後為今天的報告做一個總結.我們期望將此研究結果應用在次波長雷射元件的開發上 在這個題目中我們模擬分析混合電漿波導型結構的光學性質,並且調變覆蓋層材料使光場集中再主動層,最後探討結構參數對光學性值的影響為何以及代表的物理意義 * 在 傳統的光學中,光學元件必須受到繞射極限的限制,意思是指元件的長度必須大於半波長才能將光場侷限,其中neff代表的是材料的參數,我們可以舉一個介電材料波導結構的例子來解釋,其結構是由epsilon1借電材料包覆epsilon2主動層材料,當L大於半波長時,光場可以有效的侷限在主動層內,但如果將L縮小至半波長以下時,光場將會洩漏到epsilon1借電材料,而無法將光侷限在奈米尺度的區域內.因此最近就有研究學者利用表面電漿的概念來克服此問題. 也就是說如果今天我們要設計一個雷射原件,則共振腔的體積必須大於半波長的三次方,這個數學式子可以描述,然而我們在剛剛討論過了表面電漿的現象,我們知道在金屬與介電材料間會有很強的電場聚集.接著我們討論兩種不同材料包覆的結構來克服繞射極限的問題,左邊這是一個eption2包附eption1的波導結構,我們可以看到大部分的能量聚集在中間,但是當我們把主動層縮小時,能量會散布在包覆材料內.這是因為介電材料無法壓縮能量.