数字电子电路第三章32.pptVIP

* 3.4 MOS逻辑门 一、MOS晶体管 有三个电极：源极S，漏极D，栅极G 它是电压控制器件，用栅极电压来控制漏极电流。 分类： N型沟道 耗尽型（实线） 夹断电压 D S G D S G P型沟道 增强型（虚线） 开启电压 D S G D S G 对于N管： MOS管作开关使用时: 对于P管： “1” 当栅极G加低电平（小于管子开启电压 Vth）时，源极S、漏极D相当于开关断开。 当栅极G加高电平（大于管子开启电压Vth 约2V）时，源极S、漏极D相当于开关闭合。 当栅极G加高电平（大于管子开启电压Vth 约?2V）时，源极S、漏极D相当于开关断开。 当栅极G加低电平（小于管子开启电压 Vth）时，源极S、漏极D相当于开关闭合。 D S G “0” D S G “1” “0” （一）E／EMOS反相器 1．电路图 当Vi = “0” 时，To 截止， TL导通 当Vi = “1” 时，TL ，To均导通， To—驱动管 TL—负载管 要使VOL接近于0，则要求 gmo gml ?VO = VOH = VDD – VTL VO = VOL = 1 2 gmL gmo (VDD – VTL) VDD Vo T0 D TL S D S G Vi 2．电路特点 ( P91 ) （1）单一电源，结构简单； （2）负载管始终工作于饱和区，工作速度低，功耗大； （3）最大输出电压为VDD–VGS（th）NL,产生不必要的电源损失； （4）输出高、低电平之比VＯＨ／ＶＯＬ＝２gmo/gml,取决于输 入管和负载管中跨导之比。所以有时称为“有比电路”。 （二）MOS门电路 １．与非门 当A、B中只要有一个输入信号Vi=“0”＜VT，则管子截止。 ∴输出Y ＝ VDD – VTL ＝“1” 当A、B中输入信号Vi =“1” （＞VT）时，T1、T2导通 ∴输出Y＝“0” 显然 Y ＝ AB 0 1 1 T1 1 Y VDD TL A T2 B 0 2．或非门 当A、B中只要有一个输入信号Vi为高电平（＞VT）时，该管导通。 ∴输出 Y ＝ 0 当A、B中输入信号Vi为低电平（＜VT）时，T1、T2截止 ∴输出 Y ＝ VDD – VTL=“1” 显然 Y＝A＋B T1 VDD TL A T2 B Y “1” =“0” “ 0” =“1” “0” 3.5 CMOS电路 它由一个PMOS管和一个NMOS管串联互补组成。通常 以 PMOS 管作负载管，NMOS 管作输入管。 1．电路结构 VDD Vo T0 D TL S D S G Vi G 一 CMOS反相器 2．工作原理 a．当Vi= “0”低电平时 VGSN＝0（V）＜VGS(TH)N ∴ TN 截止，等效为一个很大的电阻Roff = 1012 ? VGSP＝ 0 – VDD = – VDD ＜ VGS(TH)P ∴ TP 导通，等效为一个较小的电阻Ron = 103 ? b．当Vi= VDD 高电平时 VGSN＝VDD＞VGS(TH)N ∴ TN 导通。 而 VGSP＝ Vi – VDD = VDD – VDD ＞ VGS(TH)P ∴ TP 截止。 ∴ V0＝0V 低电平 电路起到反相器的作用 故 Vo= Roff Roff+Ron ? VDD? VDD 高电平 VDD Vo TN D TP S D S G Vi G 3．电路特点 （2）静态功耗极低； （3）抗干扰能力较强； （4）电源利用率高； （5）输入阻抗高，带负载能力强。 （1）集成度高； 电压传输特性 Vi Vo 1．CMOS与非门 2．CMOS或非门 A B Y VDD TP TP TN TN T1 T2 T3 T4 A B Y VDD T3 T1 T4 T2 二 CMOS逻辑门电路 3．带缓冲级的与非门电路 它是由PMOS和NMOS管并联互补组成 B A Y VDD =AB A B A+B 三 CMOS传输门电路 1．电路结构 NMOS 管栅极接 C PMOS 管栅极接 C VDD Vo/Vi TP Vi/Vo C C TN ∴ V0 ＝Vi ∴ Vi 不能传输过去 当 C ＝VDD ＝ “1” 、C ＝ “0” 时， 当 C ＝ “0” 、C ＝ “1” 时， TP、TN均导通 TP、TN均截止 2．逻辑符号 Vi/Vo C Vo/Vi C C Vo / Vi Vi /Vo C TG *