工程伦理期末报告不能逃避的难题.ppt

微機電期末報告　　　　　　　　單晶片CMOS-MEMS　　　　　　　雙掃描微波顯微鏡 班級：奈米三甲 組員：4A014070施柏瑋 　　　4A014075陳韋宏 　　　4A014106林勇瑞 　　　4A014108黃柏榆 　　　4A014909邱啟喆 指導老師：莊承鑫老師 Paper摘要 提出設計、製造和實驗的微波掃描顯微鏡（SMM）／原子力顯微鏡（AFM）系統的實驗驗證。微製造SMM探針搭配壓阻式形變感測器為基礎感測AFM探針於CMOS-MEMS製程，並且整合電熱掃描儀使其驅動。 原子力顯微鏡的整合使雙模成像，更重要的是，它能夠控制針尖至樣品的距離，這是讓SMM精確成像的關鍵。獨特的設計讓尖端可以掃描樣品的3個自由度，分別掃描通過x, y及z方向20um*10um*30um的範圍。製造出的設備是使用標準的CMOS代工製造，其次是內部無光罩的微機電系統後處理以釋放裝置。 單晶片SMM/AFM設備集合了1D和3D的驅動。這些裝置可以用來調整針尖與樣品的間距，改善裝置長期浮動的抵抗力。 為了提高量測的靈敏度，單短截線微調網絡已被使用在高針尖至樣品的抗阻與50歐姆的阻抗高性能網絡分析儀的匹配上。在CMOS-MEMS SMM的測量結果都驗證了提出的概念。 前言 傳統的SMM的是基於原子力顯微鏡的平台??，原子力顯微鏡的價格昂貴，而且是構造大型、笨重的掃描儀。這在進行奈米尺度定位測量時，會產生一些問題，如容易受到熱而偏移、降低振動抵抗力等。 縮放的物理學有利於更小、更輕整體的掃描儀和奈米級測量的位置感測器。圖片為傳統的AFM和CMOS-MEMS AFM的比較。 這大型壓電掃描系統，已被MEMS電熱制動器集成的位置感測器取代了。我們也以多晶矽形變感測器取代基於激光的偏轉感測，這顯著地降低了SPM的 　成本。 本文的重點是 　 SMM採用CMOS-MEMS 　實施的作業模式。 CMOS-MEMS 此系統技術從 1960 年開始孕育發展，直到了 1990 年左右引起歐、美、日等高科技團隊的極大青睞，而此技術的應用範圍包括一般工程、科學、醫學、軍事國防，並擴展至日常生活，可說相當廣泛。 台灣的半導體技術優異，現有的環境建置以及相關資源都相當完備，可說提供了未來微機電或是奈米技術的絕佳平台。 圖為CMOS-MEMS無光罩釋放過程。 （a）CMOS 鑄造工序的剖面圖 （b）對介電質進行非等向性蝕刻 （c）蝕刻到矽基層釋出裝置 設備描述 為了添加三個自由度在裝置上， MEMS 需橫向制動器，如圖１。在平面內致動，實現使用電熱雙壓電晶片效應。 圖二為3自由度集成AFM-SMM設備。 測量 測量頻率應接近匹配點（M1）和在與最高坡度的地方，得到最大的靈敏度 結論 我們設計、製造幾個SMM 測試結構和設備，最後整合出一個CMOS-MEMS晶片的AFM-SMM設備。該SMM/AFM設備能夠掃描3個自由度的樣品，用掃描範圍20微米x10微米x30微米在x，y和z方向。含括原子力顯微鏡的優點，包括雙模式成像和針尖的距離控制進行了討論，並由一個3-D標準樣品的原子力顯微鏡證實。並顯示了本裝置的第一個掃描。 更小，更輕，更快的制動器將提高分辨率，生產率和易於集成SMM之對各種的應用程序。 此外，集成的位置傳感器和形變感測器在一個置於原子力顯微鏡懸臂梁傳感器可減少漂移和改進的SMM系統的穩定性。 謝謝觀賞~