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電子學複習參考(1) 2010/10/23 一、選擇題（每題1分，共100分）： 1.【 C 】 超大型積體電路(VLSI)的基本邏輯閘容量大約為？(A)10　(B)100　(C)1,000　(D)10,000　個以上 2.【 C 】 一般而言，邏輯閘數目最少的積體電路為？(A)LSI　(B)MSI　(C)SSI　(D)VLSI　 3.【 D 】 以下何者非IC製造之主要流程？(A)晶粒切割　(B)打線　(C)測試　(D)銷售　 4.【 B 】 波形之週期為50μs，即其頻率為？(A)200kHz　(B)20kHz　(C)2kHz　(D)2MHz　 解析： 。 5.【 A 】 波形因素的定義為？(A)　(B)　(C)　(D)　 6.【 D 】 正弦波的波形因素為？(A)1　(B)　(C)　(D)　 解析： 。 7.【 A 】 在N型半導體中，其多數載子(majority carrier)為？(A)電子　(B)電洞　(C)原子　(D)分子　 8.【 B 】 一純矽半導體，本質濃度ni = 1.5×1010/cm3，原子密度為5×1022/cm3，若於每109個矽原子摻入1個施體(donor)雜質，則其電洞濃度為多少？(A)4.5×105/cm3　(B)4.5×106/cm3　(C)4.5×107/cm3　(D)4.5×108/cm3　 解析：電子濃度 電洞濃度 。 9.【 A 】 下列有關矽與鍺二極體之比較何者正確？(A)矽二極體可承受的逆向峰值電壓遠高於鍺二極體　(B)矽二極體的可工作溫度遠低於鍺二極體　(C)矽二極體的臨界電壓低於鍺二極體　(D)矽二極體的反向飽和電流高於鍺二極體　 10.【 D 】 砷化鎵二極體其切入電壓(又稱障壁電壓)約為？(A)0V　(B)0.2V　(C)0.6V　(D)1.1V　 11.【 B 】 已知在室溫下時，二極體導通電流ID＝1mA，電壓VD＝0.6V，則二極體的動態電阻rd為？(A)2.5Ω　(B)25Ω　(C)60Ω　(D)600Ω　 解析： 。 12.【 C 】 如圖 所示電路，試判斷二極體D1及D2之導通狀態？(A)D1 ON，D2 ON　(B)D1ON，D2 OFF　(C)D1OFF，D2 ON　(D)D1OFF，D2 OFF　 解析：因D2二極體之N端接至?10V，故一定比N端接至0V的D1二極體先導通，此時 小於0V，所示D1二極體無法導通。 13.【 B 】 累增崩潰電壓會隨溫度上升而？(A)不變　(B)上升　(C)下降　(D)視外加電壓而變　 14.【 B 】 如圖 所示之電路，流過稽納(Zener)二極體電流I為何？(A)2.76mA　(B)3.07mA　(C)4.3mA　(D)6.25mA　 解析：因 ，故稽納二極體崩潰導通。 。 15.【 B 】 如圖電路中 ，稽納(Zener)二極體之崩潰電壓VZ＝8V，此稽納二極體之消耗功率大小為？(A)16mW　(B)64mW　(C)24mW　(D)0W　 解析：因 ，故稽納二極體崩潰導通。 。 16.【 D 】 LED之半導體材料能隙為2eV，其所發出之光波長為何？(A)500nm　(B)1500nm　(C)450nm　(D)620nm　 解析： 。 17.【 C 】 圖 所示LED之導通電壓VD = 2.3V，最大導通電流ID(max) =30mA，電阻R之最小值為多少？(A)300Ω　(B)200Ω　(C)90Ω　(D)76Ω　 解析： ， 。 18.【 C 】 圖 所示電路，試求LED消耗功率為多少？(A)120mW　(B)20mW　(C)22.5mW　(D)45mW　 解析： 。 19.【 C 】 下列元件，何者可以發出單一波長光？(A)隧道二極體　(B)光二極體　(C)雷射二極體　(D)發光二極體　 20.【 A 】 下列元件，何者正常工作下是在逆向偏壓區？(A)光二極體　(B)發光二極體　(C)蕭特基二極體　(D)隧道二極體　 21.【 B 】 電子電路中，常使用負電阻電路，下列何者可正確完成電路？(A)光二極體　(B)透納二極體　(C)蕭特基二極體　(D)變容二極體　 22.【 A 】 如圖 橋式整流電路，假設二極體均為理想二極體，當輸入交流電壓Vi(t) 0V時，請問二極體的狀態，下列描述何者正確？(A)D1、D3 on，D2、D4 off　(B)D2、D4 on，D1、D3 off　(C)D1、D4 on，D2、D3 off　(D)D2、D3 on，D1、D4 off　 23.【 B 】 承上題，若輸入交流電壓Vi(t)= 20sin120πt(V)，其中線圈匝數比為1：