05-CCD最基本的工作原理.ppt

教学进度;第五讲 CCD图像传感器基本工作原理;CCD的工作过程;电荷存储 电荷耦合 CCD电极结构 电荷注入和检测 CCD特性参数 电荷耦合摄像器件：工作原理、特性参数;一、电荷存储——光电转换得到的信号电荷怎么存储？ ;MOS 电容器（也称MOS二极管）; ;当在栅电极上加上 UG ＞0的小电压时， P型衬底中的空穴从界面处被排斥到衬底的另一侧，在Si表面处只留下一层不能移动的受主离子，这种状态称为多数载流子“耗尽状态”，形成图中的充电区域(空间电荷区)称作耗尽区。（相当于 MOS电容器充负电）;表面势 ：半导体与氧化层界面上的电势。 表面势表征了耗尽区的深度，与栅极电压和氧化层厚度有关; ;反型层电荷填充势阱时，表面势收缩的情况：;电荷的收集 埋沟MOS 电容器;无偏置时， n-型层内含有多余的电子向p-型层扩散， p-型层内含有多余的空穴并向n-型层扩散； 这个结构与二极管结的结构完全相同。上述的扩散产生了内部电场，在n-型层内电势达到最大。; CCD曝光时，每个像元有一个电极处于高电位 。硅片中这个电极下的电势将增大，成为光电子收集的地方，称为势阱。其附近的电极处于低电位，形成了势垒，并确定了这个像元的边界。像元水平方向上的边界由沟阻确定。; CCD曝光时，产生光生电荷，光生电荷在势阱里收集。随着电荷的增加，电势将逐渐变低，势阱被逐渐填满，不再能收集电荷，达到饱和。 势阱能容纳的最多电荷称为满阱电荷数。;实际的埋沟结构 埋沟结构的两边各有一个比较厚(~0.5-1.5μm)的场氧化物区。该区与高掺杂的 p-型硅一起形成形成沟阻，该区的静电势对栅极的电压和电压变化不敏感，始终保持形成势垒。;埋沟结构的MOS电容的主要特点是： 能在单一电极之下的一个局部区域内产生势阱； 能调整或控制栅极下面的势能； 储存电荷的位置 (势能最小处)离 Si- Si02 交界面有一定的距离； 低的暗电流使其能够长时间的储存信号电荷 (取决于工作条件可以从数十秒到数小时)； 所收集的电荷可以通过光照、电注入等产生； 能快速地将电荷从一个电极之下的一个位置转移到下一个邻近的电极下面，而且损失非常低。;;二、电荷耦合——MOS电容器中存???的电荷如何移动？; 以三相CCD为例说明控制电荷定向转移的过程:;;三相CCD的电荷包转移过程;注意各个电极上电压的变化:;;驱动脉冲波形设计;作业一;说明：;CCD转移电极一般用金属铝或多晶硅制成； CCD转移电极基本要求： 电荷定向转移 相邻势阱耦合;1、三相电极结构(三相 CCD) 采用对称电极结构，三相 CCD是最简单的电极结构。因为在某一确定的时刻，对存贮有电荷的电极而言，两个相邻电极，需要一个被“打”开，另一个保持“关”闭，以阻止电荷倒流。 通常这种电极结构有三种形式： 三相单层铝电极结构 三相电阻海结构 三相交叠硅栅结构;（1）三相单层铝电极结构 ;（2） 三相电阻海结构 ;（3） 三相交叠硅栅结构;（3） 三相交叠硅栅结构;2、 二相硅-铝交叠栅结构 ;3、四相CCD ;4、体沟道CCD （埋沟道CCD——BCCD）;两种来源：光注入（图像传感器）＋电注入;;2、电注入：给 CCD势阱中注入电荷 通过输入结构对信号电压或电路进行采样，然后转换成信号电荷注入到相应的势阱中。;五、电荷的检测 (输出) —MOS电容器中信号电荷最后咋输出？;电路组成： 1 输出二极管反向偏置电路。由电源UD 、电阻R、 衬底p和N+区构成的输出二极管反向偏置电路，对于电子来说，N+区下面相当于一个很深的势阱。 2 源极输出放大器 3复位场效应管TR; 输出电流Id与注入到二极管中的电荷量QS成正比例关系。且QS越大，Id越大，从而A点电位就越低。 隔直电容只将A点的电位变化取出，然后通过放大器输出。;1、电荷转移效率和电荷转移损失率 CCD工作时电荷从一个电极经多次耦合转移到最后电极并输出，如果每次转移都会损失一部分信号电荷，会怎样？;提高转移效率η 是电荷耦合器件能否实用的关键。 一般η常为0.999 995以上。 怎么提高转移效率呢？ 分析电荷损失原因：界面态对信号电荷的俘获 解决方法：采用“胖0”工作模式（在CCD中利用电注入的方式在转移沟道中注入胖0电荷）。即让0信号也有一定的电荷。;2、驱动频率 ; 对于相同结构设计的n沟道（P型衬底）CCD比p沟道CCD的工作频率高。 图示为：三相多晶硅n型表面沟道（SCCD）的实测驱动脉冲频率与电荷转移损失率ε之间的关系曲线。 由曲线可以看出，表面沟道CCD驱动脉冲频率的上限为10MHz，高于10MHz以后，CCD的转移损失率将急骤增加。;七、