原子光刻技术知识.pptx

原子光刻技术 电科0901 杨沙沙 光刻技术是纳米结构制作的重要工艺，通过增大光刻物镜的数值孔径（N.A）和缩短曝光波长，可以提高光刻系统的分辨率。但当光刻图形的尺寸小于100nm时，光学光刻面临着很大的挑战。原子光刻是一种利用原子束实现刻印的新方法。作为原子光刻中的原子拥有X射线、电子束及离子束等刻印媒体所不具备的特点。 在电子束光刻技术中，由于空间电荷效应的影响，特征尺寸的缩小是以昂贵设备为代价来实现的。在这些情况下，作为一种潜在光刻技术的原子光刻技术有望成为集成电路和微型器件加工的新型纳米结构制造技术。原子光刻技术简介： 1995年，美国国家标准技术研究所和哈佛大学的科学家们成功地运用中性原子代替光子和电子，在硅表面产生了金的微纳米图形，这是原子光刻技术的第一个实验结果，并预言原子光刻技术制造出集成电路或其他器件比其他光学光刻技术制造的小十倍。自从以后，美国、德国、日本、法国等国家先后在中性原子光刻实验上取得了成功，原子光学的基础研究成果正逐步向原子光刻技术进行转化，是基础研究技术化的典型之一。中性原子光刻： 中性原子光刻是指利用中性原子束在材料表面上制造特定的结构图形。基于中性原子的性质，原子光刻具有以下独特优势第一：中性原子束的原子源装置结构简单，价格低廉；第二：相对于光子和电子，中性原子束的粒子动能非常低，小于1eV，对表面损伤极小；第三：中性原子的运动轨迹不受均匀电场和磁场的影响，而介于中性原子之间的长程粒子间相互作用力非常小，没有库伦排斥力引起的分辨率限制（离子束光刻中存在）；第四：中性原子束还具有电子束或光子束所不具有的跃迁态，原子具有可用激光调谐的中间态结构，这种中间态结构使得原子操控成为可能，并可以通过激光冷却来增强原子束通量和校准。与其他光刻技术比较，原子光刻由于目前的技术尚难以获得高强度束流，制造效率较低。以惰性气体为例，一个原子经激发处于激发亚稳态是可携带8-20eV的内能，单个红外光子就可以耗散一个原子所含的内能。由于相对较低的速度和较大的原子质量，中性原子的德布罗意波长很短，相应的衍射效应非常小； 原子光刻技术缺点 目前利用原子光刻技术获得的样品的沉积条纹质量不高，如沉积线比较粗，虽然平均节距非常准确，但在一个单线对上一个单线的测量可能产生很大的不确定性，这将限制它在某些场合的应用，例如作为线宽标准。目前正在研究制造过程中减小粗糙度使其精细化的方法。原子光刻技术可分为两种模式： 一种是中性原子经原子透镜聚焦成非常精细的点直接沉积到基板上，在纳米结构制备过程可以在干净、无抗蚀剂的环境下完成。因为中性原子的动能非常小，对基板的损伤非常小或没有损伤，这对于无污染和无缺陷生长纳米结构来说是非常重要的； 另外一种是采用亚稳态中性原子对基板表面的合适的抗蚀剂曝光，采用湿法化学刻蚀的手段在基板上刻印图案结构，迄今为止，金属原子直沉积技术已经取得了显著成果，同样，结合抗蚀剂的亚稳态中性原子光刻技术也取得了重要进展。原子束的产生 中性原子束是原子物理和薄膜物理的支柱技术。自20世纪初以来，在其性质及可能的应用技术研究中收获甚丰。中性原子束的标准源包括热源和喷射源两类，两者动能均小于100eV。最基本的原子束产生方法是在真空系统中的热蒸发技术，这是一种最简单的典型热源，如图1所示。另外一种原子束产生方法是喷射法，最常用的是亚稳态直流电触发模式。中性原子光刻技术--使用抗蚀剂的He原子光刻技术 亚稳态氦原子本身呈电中性，不会引起空间电荷效应，由于其德布罗意波长仅几个pm，衍射效应可忽略不计，这意味着在狭小区域内可以使用超大曝光剂量。He+的寿命长达8000s，所携带的内能为19.8eV。处于亚稳态的氦原子可以确定的能量在真空中穿行而不和别的物质发生化学反应。但当其碰撞表面时，破坏了量子力学选择定则，将从亚稳态返回基态并释放能量。该能量代替光刻技术中沉积光子能量作用到抗蚀剂表面，断开分子中的化学键，改变曝光区域的化学、物理性质，从而实现中性原子光刻。 谢谢