3-6-3图像传感器.pdfVIP

3.6.5 电荷耦合器件 一、CCD 图像传感器基本原理 CCD （Charge Coupled Devices ）电荷耦合器件，CCD 图像传 感器主要有两种基本类型: •一种为信号电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面，并沿界 面进行转移的器件，称为表面沟道CCD （简称为SCCD ）器 件；另一种为信号电荷包存储在距离半导体表面一定深度的体 内，并在半导体体内沿一定方向转移的器件，称为体沟道或埋 沟道器件（简称为BCCD ）。 下面以SCCD为例讨论CCD的基本工作原理。 1.电荷存储 构成CCD的基本单元是MOS （金属-氧化物-半导体）结构。 在栅极G施加电压U 之前p型半导体中空穴（多数载流子）的分布 G 是均匀的。当栅极施加正电压UG （此时UG 小于等于p型半导体的阈 值电压Uth ）时，p型半导体中的空穴将开始被排斥，并在半导体中 产生如图（b ）所示耗尽区。 电压继续增加，耗尽区将继续向半导体体内延伸，如图（c ）所示。 U 大于U 后，耗尽区的深度与U 成正比。 G th G 将半导体与绝缘体界面上的电势记为表 面势Φs ，Φs将随栅极电压UG 的增加而 增加，他们的关系曲线如图所示。 图描述了在掺杂为1021 cm-3 ，氧化层厚 度为0.1 μm、0.3 μm、0.4 μm和0.6 μm 情况下，不存在反型层电荷时 ，表面势 Φ 与栅极电压U 的关系曲线。 s G 从表面势Φs与栅极电压UG 的关系曲线可以看出氧化层的厚 度越薄曲线的直线性越好；在同样的栅极电压U 作用下， G 不同厚度的氧化层有着不同的表面势。表面势Φs表征了耗 尽区的深度。 图为栅极电压UG不变的情况下，表 面势Φs与反型层电荷密度Qinv之间 的关系。 由图可以看出，表面势Φs随反型层 电荷密度Qinv 的增加而线性减小。 •用半导体物理中的“势阱”概念来描述。 电子所以被加有栅极电压的MOS结构吸引到半导体与氧化层 的交界面处，是因为那里的势能最低。 在没有反型层电荷时，势阱的“深度”与栅极电压UG 的关系恰 如Φs与UG 的关系，如图（a ）空势阱的情况。 势井电荷存储与栅极电压等的关系 电荷存储必须工作在非热平衡的瞬态条件下，此时势井深度 大于热平衡下的耗尽层宽度，处于深度耗尽。即信息电荷存 储的时间小于热弛预时间。 表面势随栅极电压的增加而增加，随存储电荷增加而减小。 耗尽层宽度与表面势的平方根成正比，势井深度与表面势成 正比。 栅极电压相同时，氧化层厚度和掺杂浓度影响表面势即势井 深度。氧化层厚度越大，势井越浅。 2. 电荷耦合 3.CCD的电极结构 三相单层铝电极结构 二相硅-铝交叠栅结构 体沟道CCD (BCCD) 4. 电荷的注入和检测 （1 ）光注入 Qin= ηqN At eo c 式中：η为材料的量子效 率；q为电子电荷量；Neo 为入射光的光子流速率；A 为光敏单元的受光面积；tc 为光的注入时间。 （2 ）电注入 1) 电流注入法:如图（a ） 2) 电压注入法:如图（b ） （3 ）电荷的检测(输出方式) 输出电流I 与注入到二极管中的电荷量Q 的关系 Q =I dt d S s d 二、电荷耦合光电成像器件 工作原理 •电荷耦合摄像器件就是用于摄像的CCD ，又简称为 ICCD,它的功能是把二维光学图像信号转变成一维以时 间为自变量的视频输出信号。 •线阵CCD器件:直接将接收到的一维光信息转换成时序的电 信号，获得一维的图像信号。 如