第7章 集成电路制造工艺.ppt

集成电路制造工艺 集成电路制造工艺 外延工艺 氧化工艺 扩散工艺 离子注入工艺 化学淀积工艺 光刻工艺 刻蚀工艺 物理淀积工艺 外延工艺 外延工艺是在20世纪60年代初发展起来的一种极其重要的技术，目前得到十分广泛的应用 外延（epitaxy）一词源于希腊语，意思是“在上方排列”。取“由衬底向外延伸”之意 从广义上说，外延也是一种化学气相淀积工艺。但是，外延是薄膜淀积的一种特殊类型。 外延是指在单晶衬底上、按衬底晶向生长单晶薄膜。 根据向衬底输送原子的方式气相外延(VPE)：利用硅的气态化合物或者液态化合物的 蒸气，在加热的硅衬垫表面与氢气发生反应还原出硅。 技术成熟，能很好地控制薄膜厚度、杂质浓度和晶体的完整性，因此应用广泛，如在硅外延工艺中占主导地位；但是气相外延温度较高（800-1150℃，目的是保证外延层晶体完整性 ），对杂质再分布影响大液相外延(LPE)：衬底在液相中，液相中析出的物质并以单晶形式淀积在衬底表面上的过程。应用于III-V族化合物，如GaAs和InP；化合物在高温下易分解，液相外延可以在较低温度下进行。固相外延(SPE)：通过熔融薄硅层的再结晶获得单晶硅。高剂量离子注入造成的损伤形成非晶区，在退火过程中可通过固相外延转变为晶体 按材料的异同 在半导体工艺中，外延就是在半导体晶体上生长一（薄）层同质或异质半导体晶体层的工艺过程。 同质外延：生长的外延层与衬底为同一种材料。外延技术中最重要、应用最广泛的是硅的同质外延 异质外延：外延生长的材料与衬底材料不同。例如，硅上生长SiGe，蓝宝石上生长Si、SiC、GaN，AlxGa1-xAs上生长GaAs等，通常要求衬底材料与外延材料的晶格失配较小 重要性：可根据需要控制外延层的材料组分、厚度、导电类型、电阻率（即掺杂浓度）等，不依赖于衬底。例如，形成突变结 双极器件中解决了高频功率器件的击穿电压与集电极串联电阻对集电区电阻率要求之间的矛盾在MOS器件中避免了闩锁效应以及SiOx的沉积（漏电大），并使得硅表面更光滑，损伤最小。基于硅外延片的CMOS工艺已成为标准工艺 硅的外延层是沿衬底硅的晶向生长的 通常硅外延层是由四氯化硅或者硅烷类化合物（SiH4、SiH2Cl2或SiHCl3）分解而生成，这与在CVD中发生的反应相类似 硅外延层的掺杂与硅衬底的掺杂不同，是在外延的过程中通入磷烷（PH3）、乙硼烷（B2H6）或砷烷（AsH3），即原位掺杂。可以控制硅外延层的掺杂 标准的整个晶片的外延必须在工艺流程开始之前进行，即在生长或淀积其它需要保留的表面薄膜之前完成 还要说明的一点是，晶片供应商提供的硅片有些已经生长有外延层 原理：? 外延是横向生长，晶体表面的杂质就会阻碍生长，进而在薄膜上产生层错或位错缺陷。所以，高质量的外延生长需要非常清洁的衬底表面? 在任意特定淀积温度下，都存在一个最大淀积速率，超过最大淀积速率，生成多晶薄膜，而低于最大淀积速率，生成单晶外延层 生长速率与温度的关系? 化学反应控制区（低温区）：生长速率与温度的倒数呈指数关系。一般来讲，不同的反应剂激活能不同，从而曲线斜率也不相同。随着温度的增加，化学反应速率加快，控制类型逐渐过渡到质量转移控制区? 质量转移控制区（高温区）：生长速率对温度的变化不敏感，但对反应室的几何形状和气流有很大的依赖性。生长速率与气体中反应剂的分压近似成线性关系。随温度的增加，气相中反应剂的扩散能力有微弱增加，因此生长速率有微弱增加 生长速率与反应剂浓度的关系以SiCl4氢还原法外延Si为例，生长速率主要受两个过程控制：1. 氢还原SiCl4 析出硅原子的过程；2. 硅原子在衬底上生成单晶层的过程。 两者中慢的一个决定生长速率两种控制方式：1. SiCl4 浓度较小时，化学反应控制；2. SiCl4 浓度较高时，淀积速率控制。外延时不希望衬底被腐蚀，所以SiCl4浓度不宜太高；但为了提高生长速率，缩短外延时间，SiCl4浓度又不宜太低 生长速率与气体流速的关系边界层厚度??(?x/?U)1/2 气体主气流速度U越大，边界层厚度?越小，质量转移越快，因而生长速率越快。当流量增大到一定数值时，外延生长速率倾向于饱和，即转向化学反应速率控制。 外延时的掺杂源 SiCl4氢还原法外延常用掺杂源——杂质的氢化物： 硼的杂质源为硼烷（B2H6） 磷的杂质源为磷烷（PH3） 砷的杂质源为砷烷（AsH3） 自掺杂效应由于热蒸发或者化学发应的副产物对衬底和（或）外延层的腐蚀，使衬底和（或）外延层中的基质（如硅）和杂质进入气相，改变了边界层气相中的掺杂成分和浓度，从而导致外延层中的杂质实际分布偏离理想情况，这种现象称为自掺杂效应自掺杂效应是影响外