童诗白第四版 模拟电子课件 第一章.ppt

清华大学华成英hchya@ 模拟电子技术基础 本课程是入门性质的技术基础课 一、课程目的 初步掌握基本概念、基本电路、基本分析方法、基本实验技能 具有能够继续深入学习和接收新器件的能力，将所学知识用于本专业的能力。 二、参考书及网站软件 / （发烧友网站） / （工程师网站） /（爱好者网站） 华工 康华光 清华 童诗白 第三版 PROTEL99（或2004）软件 Multisim仿真软件 三、电子技术的发展 47年 贝尔实验室制成第一只晶体管 58年 集成电路 69年 大规模集成电路 75年 超大规模集成电路 第一片集成电路只有4个晶体管，而97年一片集成电路上有40亿个晶体管。科学家预测集成度按10倍/6年的速度还将继续到2015或2020年，将达到饱和。 四、模拟电路 模拟量：具有连续性。大多数物理量，如温度、压力、流量、液面……均为模拟量。 模拟电路：对模拟量进行处理的电路，最基本的处理是放大。 放大：输入为小信号，有源元件控制电源使负载获得大信号，并保持线性关系。 有源元件：能够控制能量的元件。 五 学习方法 1.课堂听讲加课后复习消化 以听课为线索 建立工程的概念，能够合理近似 特别注意电路原理在电子电路分析中的应用 2.动手做电路主动学习由浅到深 3.认真做实验（要有预习报告） 4.理论实践相结合进入研究型学习 5.积极参加电子竞赛 QQ群电子技术课程群） 六、查考方法 第一章 常用半导体器件§1.1 半导体基础知识一、本征半导体：纯净，晶体 三、PN结的形成及其单向导电性 §1.2 晶体二极管 一、组成： 将PN结封装，引出两个电极，就构成二极管。 从二极管的伏安特性可以反映出：  1、单向导电性 三、二极管的等效电路1、将伏安特性折线化 四、二极管的主要参数 最大整流电流IF：平均值 最大反向工作电压UR：瞬时值 反向电流IR 最高工作频率fM 1.2.5 稳压二极管 一、稳压二极管的伏安特性 二、稳压电路 光电二极管 光电二极管的VA特性 * * 二、学习方法 1. 会看：定性分析 2. 会算：定量计算 3. 会选：电路形式、器件、参数 4. 会调：测试方法、故障诊断、仪器选用、EDA 六、考试方法 闭卷。 共价键 本征半导体 N型半导体 P型半导体 载流子 多数载流子 二、杂质半导体 导电性很差，且随温度升高而增强。 掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强。导电性可控。 由浓度差产生的运动为扩散运动 由电场作用所产生的运动为漂移运动 参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。 PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。 PN结加反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。 几十μA 0.1~0.3V 0.1V 锗Ge 1μA以下 0.5~0.8V 0.5V 硅Si 反向饱和电流 导通 电压 开启 电压 材料 二、伏安特性 2、伏安特性受温度影响 T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移 理想 二极管 近似分析中最常用 2、微变等效电路 Q越高，rd越小。 结电容为扩散电容与势垒电容之和。 扩散路程中电荷的积累与释放 空间电荷区宽窄的变化有电荷的积累与释放 光电二极管的外形和符号 发光二极管