微机原理与接口技术PPT电子课件教案- 第3章 存储器.ppt

2．存储地址译码电路 74LS138经常用来作为存储器的译码电路。 ?图4-16 74LS138引脚 选择使用74LS138译码器构成译码电路 Y0 G1 Y1 G2A Y2 G2B Y3 Y4 A Y5 B Y6 C Y7 片选信号输出 译码允许信号 地址信号 （接到不同的存储体上） 74LS138逻辑图： 74LS138的真值表：（注意：输出低电平有效） 可以看出，当译码允许信号有效时，Yi是输入A、B、C的函数，即 Y=f(A,B,C) 1 1 1 1 1 1 1 1 X X X 其 他 值 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 Y7 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0 C B A G1 G2A G2B 第3章 存储器 “第二届维纳恩湖业主垂钓大赛“活动方案4S店开业庆典活动总结8D团队导向解决问题方法GSM网规网优专题培训教材-覆盖问题处理K线顶部双烛定式信号 第3章 存储器 3.1 存储器的概念、分类和要素 3.2 随机读写存储器（RAM） 3.3 只读存储器（ROM） 3.4 CPU与存储器的连接 ?图3-2 半导体存储器的分类 返回本节 3.1.3 选择存储器件的考虑因素 （1）易失性 （2）只读性 （3）位容量 （4）功耗 （5）速度 （6）价格 （7）可靠性 返回本节 存储器的存储容量表示与计算方法 存储器的存储容量等于： 单元数×每单元的位数 = 字数×字长 例如 6264 : 8K ×8 6116: 2K ×8 2164 : 64K ×1 3.2 随机读写存储器（RAM） 3.2.1 静态RAM 3.2.2 动态RAM 3.2.3 几种新型的RAM 技术及芯片类型 返回本章首页 3.2.1 静态RAM 1．基本存储电路单元（六管静态存储电路） 图3-4 六管基本存储电路单元 2．静态RAM的结构 图3-5 典型的RAM的示意图 3．SRAM芯片实例 典型的SRAM芯片有6116、6264、62256等。 图3-6 6116引脚 典型SRAM芯片 CMOS RAM芯片6264（8K*8）： 主要引脚功能 工作时序 与系统的连接使用 图3-7 6264引脚 返回本节 6264芯片的主要引线 地址线： A0～A12 数据线： D0～ D7 输出允许信号：OE 写允许信号： WE 选片信号： CS1、CS2 SRAM 6264芯片 6264外部引线图 逻辑符号： 6264 D7-D0 A12-A0 OE WE CS1 CS2 6264芯片与系统的连接 D0~D7 A0 A12 ? ? ? WE OE CS1 CS2 ? ? A1 A13 WR RD 译码 电路 高位地址信号 D0~D15 ? ? ? ? ? D8~D15 A0 CS2 CS1 OE WE A12 ? ? 3.2.2 动态RAM  1．动态RAM的存储单元（单管动态存储电路） 图3-8 单管动态存储电路 2．动态RAM实例 图3-9 2164引脚 典型DRAM芯片2164A 2164A：64K×1 采用行地址和列地址来确定一个单元； 行列地址分时传送， 共用一组地址线； 地址线的数量仅 为同等容量SRAM 芯片的一半。 行地址 1 0 0 0 1 0 0 0 列地址 主要引线 RAS：行地址选通信号，用于锁存行地址； CAS：列地址选通信号。 地址总线上先送上行地址，后送上列地址，它们分别在RAS和CAS有效期间被锁存在地址锁存器中。 DIN： 数据输入 DOUT：数据输出 WE=0 数据写入 W