创新的节能技术(NCP4303)【企业创新】.ppt

NCP4303寄生电感补偿 能在电路板上或 使用线搭接(wire strap)提供补偿电感 SR MOSFET 门电压 次级电流 由于采用了专利的NCP4303寄生电感补偿技术，导电周期延至最长 NCP4303寄生电感补偿 采用寄生电感补偿时能效提高 已补偿 = 使用了寄生电感补偿；未补偿 = 未使用寄生电感补偿 12 V / 20 A LLC应用 MOSFET器件B在满载VDCin=350 V、未使用补偿时的波形 Ch1- Gate Q6 (DRV IC2) Ch2- Gate Q1 (DRV IC1) Ch3- Current in Drain Q6 Ch4- Current in Drain Q1 由于未补偿TO220封装寄生电感，驱动器在初期关闭。FET B由于导通阻抗更低、寄生电感有更大影响，情况更糟糕。 Ch1- Gate Q6 (DRV IC2) Ch2- Gate Q1 (DRV IC1) Ch3- Current in Drain Q6 Ch4- Current in Drain Q1 驱动器差不多在零电流时关闭 = 能效提升至最高。 MOSFET器件B在满载VDCin=350 V、使用了补偿时的波形 NCP4303触发器输入 两种潜在应用： 在轻载期间，同步整流的能效可能比传统整流方法低，因为MOSFET压降减小提供的导电损耗优势被开关损耗所抵消，开关频率在轻载时增加的HB LLC拓扑结构犹为如此。 2) 轻载条件下关闭 1) CCM应用中的初级端关闭控制 NCP4303在CCM应用中触发 触发器在从最小关闭时间的末期到最小导通时间的末期之间消隐，目的有两个： 抑制输入噪声，避免开关电源布线中的寄生振铃 半桥(HB)和HB LLC应用中，在同步脉冲太宽、每个开关周期出现两次时，避免门驱动器错误关闭 TRIG信号的上升沿触发驱动关闭 从触发器到驱动输出的传播延迟为12 ns (典型值) NCP4303休眠模式 当Trig/Disable拉至高于1.5 V电平时,驱动器关闭 如果TRIA维持高电平的时间超过100 μs，NCP4303进入休眠模式 - 电流消耗降低至390 μA TRIG信号释放时，NCP4303在500 ns内恢复工作 NCP4303休眠模式 Trig/disable输入的工作波形 – 器件休眠模式过渡 Trig/disable输入的工作波形 – 器件唤醒过渡 简单及无噪声的导通/关闭控制 驱动器钳位选择 某些SR MOSFET提供低通道阻抗以降低门电压，从而提供较低门电压钳位的优势 其它SR MOSFET要求较高的门电压 NCP4303提供两种门钳位电压：6 V (B版本)和12 V (版本) 某SR MOSFET的理论损耗为输出电流的函数 评估板 240 W - 12 V, 20 A 双电感加单电容(LLC)拓扑结构 旨在用于ATX电源或一体机应用 评估板 顶视图 评估板 SR补偿电感详细视图 线搭接 (Wire Strap) 评估板 补偿过的SR系统和某SR MOSFET的评估板在不同输出电流下的能效 评估板 采用某MOSFET的SR系统在400 Vdc额定大电压下补偿及未补偿时LLC段在不同输出电流时的能效 已补偿 未补偿 评估板 已补偿 未补偿 采用另一款MOSFET的SR系统在400 Vdc额定大电压下补偿及未补偿时LLC段在不同输出电流时的能效 NCP4303特性总结 Part number NCP4303 最大电源电压(Vcc) 30 V 欠压保护 √ MOSFET 漏极最大感测电压 200 V 最小导通时间调节 √ 最小关闭时间调节 √ 外部触发 √ 最大工作频率 500kHz 感测电压阈值调节 √ 待机模式，低耗电模式 √ MOSFET开关导通电感补偿 √ 反激不连续模式 √ 反激连续模式 √ 准谐振模式 √ HB LLC √ 所有其它CCM拓扑结构 √ 关闭前门电压降低 No 抑制CS引脚DC负电压 3 V 抑制CS引脚峰值负电压 10 V 驱动器输出延迟 40 ns (典型值) 工作电源电流 9 mA (1 nF, 400 kHz) 静态电流 4.5 mA 源极/汲极驱动能力 2.5 A / 5 A 驱动器输出电压 12 V或6 V ESD (HBM/MM/CDM) 2000/200 结论 NCP4303提供优化同步整流(SR)开关所需的关键优势，包括： 可调节最低导通及关闭时间 MOSFET电感补偿 从CS引脚到驱动的超快延迟 精密的零电流检测，带可调节阈值 高汲电流支持快速关闭MOSFET 外部触发 藉关闭输入进入休眠模式 提供两种驱动器输出电压选择 用于多