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微电子工艺 制备工艺 Fig. 1: Photonic crystal waveguide in SOI. Pitch is 460nm, hole-size is 290nm. Fig. 2: Photonic crystal hole size after lithography and etch for different triangular lattice designs. 248nm DUV lithography on SOI SOI photonic crystals for 1550nm ：periods ： 400－500nm hole sizes：160－ 300nm. 制备工艺 PBG限制波导 平板 PC 特性 PC微腔复用/解复用器 PCF 应用研究进展 * “Photonics Nanostructures” 清华大学 信息工程学院 彭 江 得 光子晶体进展 ( Photonic Crystals) 面向新世纪信息科学与技术的新挑战 介观光学物理的新突破 光学系统分区 ( 系统线度 a, 特征波长 ? ? 1 ?m ：判据 X ? a / ? ) 介观系统 ( a ?1-100?m, X ? 1) 线度不够大：光子 ? “点” 线度不够小：系统 ? “点” Maxwell 电磁场理论 线度足够大：光子 ? “点” 宏观系统 ( a ?1cm, X 1) 几何光学 线度足够小：原子或分子 ? “点” 微观系统 ( a ?1nm, X 1) Einstein 量子力学 (a ?0.1-100nm, X 1) 纳光子学 光子晶体 (a ?0.1-1?m, X ? 1) 线度 ? 光波长 量子电动力学 ? DWDM 传输：损耗 色散/斜率( 偏振模色散) 光学非线性 ? DWDM 控制：复用/解复用(MUX/DMUX) 分插/复接(Add/Drop) 交叉互联 (OXC) ? 光子学集成(VLSI)：波导弯曲损耗 光通信网络－光子学集成 信息光电子技术的新突破 1970s：? 异质结半导体材料（LD 室温工作） ? 石英光导纤维（损耗 1dB/km〕 光纤通信奠定基石 光电器件更新换代 1980s：? 量子阱半导体材料（QW激光器） 期待新一代光电功能材料的突破 !！! 光通信发展历史的见证 1990s：? 稀土掺杂光纤（掺铒光纤放大器） 光通信技术的革命 光电功能材料进展 光电子技术的突破 光子晶体 ? 概念－光子能带 ? 光子晶体特性 光子晶体的发展进程 ? 1987年提出光子带隙(PBG)概念 ? 1990年PBG计算机论证 ? 1991年微波PBG实验论证 ? 1996年第一根TIR光子晶体光纤 ? 1997年第一根PBG光子晶体光纤 OFC 情况 论文： 2001 ：6 ， 2002：15 国家： 2001 ：4 ， 2002： 8 ? 1993年制造出第一块半导体三维光子晶体 ? 1998－2000年光子晶体光纤研究热 ? 2000年第一家光子晶体光纤公司成立 ? 2001.10. Photonics Nanostructure Materials and Devices 国际会议在 San Diego召开 三维 一维 二维 d ? 光子晶体 ? 介电常数周期分布的介质形成光子能带，禁止带 隙 (PBG) 频率的光传播 Diamond 光子能带 Defect state ? 缺陷能级在包层带隙中，缺陷态的光受带隙限制 d ? 二维 结构参量: 孔径 －d 周期 －? 芯径 －? ? ? 光子晶体光纤是带缺陷 (纤芯)的二维光子晶体 光子晶体特性 － 抑制频率落在带隙内的原子和分子的自发辐射 1.光子带隙( PBG )限制作用 I th P ( mW