林明祥 集成电路制造工艺课件 第二章硅的晶体结构和硅单晶制备.ppt.ppt

* 多晶硅的制备 单晶硅制备 单晶硅性能测试 单晶硅加工，形成晶圆 * 多晶硅的制备方法 四氯化硅还原法 三氯氢硅氢还原法 硅烷热分解法 P12图2－6 * 从砂到晶圆 石英砂的主要成份是二氧化硅 从沙到冶金级硅 (MGSmetallurgical grade(MG) silicon纯度98％～99％) MGS 粉末放进反应炉和氯化氢反应生三氯硅烷(TCS) 经由气化和凝结过程纯化三氯硅烷 三氯硅烷和氢气反应生成电子级硅材料(EGS) EGS熔化和晶体提拉制备单晶硅 直拉法 悬浮区熔法 1.从砂到单晶硅 * 从砂到硅 加熱 (2000 ° C) SiO2 + C ? Si + CO2 砂 碳 冶金級矽 二氧化碳 * 制备TCS Si + HCl ? TCS 矽粉末 氯化氫 過濾器 冷凝器 純化器 99.9999999%純度的三氯矽烷 反應器, 300 ?C * 加熱 (1100 ° C) SiHCl 3 + H 2 ? Si + 3HCl 三氯矽烷 氫氣 電子級矽材料 氯化氫 电子级硅材料 * 反应室 液態三氯矽烷 H2 載送氣體的氣泡 氫和三氯矽烷 製程反應室 TCS+H2?EGS+HCl 電子級矽材料 * 电子级硅材料 資料來源: /semiconductors/_polysilicon.html * 1.直拉法：晶体主流生长技术 1）设备：石英坩埚、高频加热线圈等 2）材料：半导体多晶材料和掺杂物、籽晶 3）晶体生长的结构与籽晶晶体结构一致 单晶硅的制备 * * 直拉法:查克洛斯基(CZ)法 石墨坩堝 單晶矽矽棒 單晶矽種晶 石英坩堝 加熱線圈 1415 °C 融熔的矽 * * 查克洛斯基法晶体提拉 資料來源: /semiconductors/_crystalgrowing.html * 悬浮区熔法(FZ Method) 加熱線圈 多晶矽棒 單晶矽 種晶 加熱線圈移動 融熔矽 * * 兩種方法的比較 查克洛斯基(CZ)法是較常用的方法 價格便宜 較大的晶圓尺寸 (直徑300 mm ) 悬浮区熔法(FZ Method) 純度較高(不用坩堝) 價格較高, 晶圓尺寸較小 (150 mm) * 单晶硅性能测试 1.物理性能测试 外观，直径，重量，晶向 2.电气参数测试 导电类型 电阻率 非平衡载流子寿命 3.缺陷检测 位错 4.杂质含量测试 金属杂质 氧 碳 * 单晶硅的切割 1 切断：目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度 2 直径滚磨：把不均匀的直径变得均匀一致 3 晶体定向定面、电导率和电阻率的检查 1）检查是否得到所需要的晶向晶面 2）检查半导体被掺杂后的电导率，以保证掺杂类型的正确。 4 切片 硅单晶的加工 * * 硅单晶的研磨 1 目的：去除切片中残留的表面损伤，晶圆表面完全平整； 2 磨片：研磨晶圆，精调到半导体使用的要求。 * 指将切割成的晶片，锐利的边缘容易脱弱产生碎屑。因此要把税利边修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生，称为倒角（或者整圆） 硅单晶的倒角 使晶圆边缘圆滑的机械工艺。 * 硅单晶片的抛光 1 抛光目的：晶圆表面光滑，像镜面一样亮。 2 抛光的过程是化学和机械两种过程同时进行。 3 化学腐蚀液：用于腐蚀晶圆表面 4 机械摩擦：同时去掉不平整的区域，获得最平整的晶圆表面。 * 化學機械研磨製程 研磨液 研磨墊 壓力 晶圓夾具 晶圓 * * 200 mm的晶圓厚度和表面平坦度的變化 76 mm 914 mm 晶圓切片之後 邊緣圓滑化之後 76 mm 914 mm 12.5 mm 814 mm 2.5 mm 750 mm 725 mm 幾乎是零缺陷的表面 粗磨之後 蝕刻之後 CMP 之後 * 第二章复习 半导体中的杂质类型 缺陷种类？特点？ 多晶硅的制备方法 硅单晶的加工过程 单晶硅的制备方法 * * 第二章 硅的晶体结构和 硅单晶体制备 * 回顾 半导体材料 目前用于制造半导体器件的材料有： 元素半导体（Si Ge） 化合物半导体（GaAs InSb锑化铟） 本征半导体： 不含任何杂质的纯净半导体，其纯度