谱测量半导体量子限制效应实验介绍.pdfVIP

Introduction to the Experiment of Semiconductor QCE Measurement by Admittance Spectroscopy 纳谱测量半 体量 子限制效应实验介绍 ZHU Hai 2008.6 Introduction to t he Ex periment of Semiconductor QCE Measurement by Admittance Spect roscopy by Z HU Hai 背景说明 子限制效应 子限制效应（QCE，Quantum Confinement Effect）,是指固体 材料结构的尺度缩小到一定值，比如纳米 级时，能态结构发生变化 开始表现出 子特性，比如形成分立能级。此时材料的电、磁、光、 声、热平衡态和输运性质与宏观材料相比有很多特殊之处。尺度对材 料性质的 子限制效应影响，可以施加在三个维度方向上，比如量子 点材料、纳米团簇等零维 子材料；也可表现为对两个维度的限制， 比如纳米 、纳米棒等一维量子材料；或者作用在一个维度上的限制， 比如量子阱结构等二维 子材料。半导体 子限制效应通常研究的是 半导体量子阱或者量子点结构中载流子表现出的特殊性质。 子阱 量子阱结构指的是在半导体衬底上生长若干层不同材料、不同参 杂情况的半导体薄膜。此时能带随材料的丛深空间分布图中可以看到 若干台阶、势垒或势阱。当膜十分薄时，势阱宽度小于载流子平均自 S S i S 行 于 i G i e 表 子阱样品结构 面 从表面向内 Si 盖 Ec SiGe 电子阱 Si 衬底 能带 示意 空穴阱 Ev 2 / 20 Introduction to t he Ex periment of Semiconductor QCE Measurement by Admittance Spect roscopy by Z HU Hai 由程，量子限制效应出现，这种势阱就是量子阱。最简单的情况是在 Si 衬底上外延生长几纳米厚的SiGe 层，然后再在顶部外延生长一层 Si 层，形成上页图示的Si/SiGe/Si 量子阱结构。由于在SiGe 层， 价带的偏移远大于导带的偏移，故Si/SiGe/Si 主要是空穴量子阱。 这里说明两点：1）采用SiGe 层作为量子阱是为了与Si 衬底晶格尽 匹配，以保证外延生长的薄膜质 高、缺陷低；2）能带偏移的大 小决定于材料的种 、合金的组分以及应变分布情况。如果在Si 衬 底上周期性生长SiGe 和Si 薄膜，就可以得到多量子阱结构。下左为 GaAs/AlGaAs 多量子阱结构示意图。由于此势阱非理想无限深势阱， 解一维薛定谔方程可以知道载流子处于散射态，势阱外有贯穿的波函 数。如下右图，势阱的间距影响各势阱贯穿波函数重叠、耦合的情况。 如果势阱的间距较大，各势阱没有耦合，可以看作一些 子限