非极性及半极性氮化镓发光二极体之进展-国立交通大学.docVIP

非極性及半極性氮化鎵發光二極體之進展 Recent progress of Non-polar and Semi-polar GaN based LEDs 凌碩均(S. C. Ling)、張世邦(S. P. Chang)、黃煇閔(H. M. Huang)、李鎮宇(L. Z.Yu)、盧廷昌(T. C. Lu)、郭浩中(H. C. Kuo)、王興宗(S. C. Wang) 國立交通大學光電工程所 中 文 摘 要 傳統成長於c面方向的氮化鎵發光二極體，會因內建電場的關係，會使得量子井能帶結構產生歪斜，進而影響電子、電洞波函數的重疊機率降低，使得發光效率減弱。非極性與半極性氮化鎵材料由於不具有內建電場，預期可以有效提升發光二極體的內部量子效率，因此遇有極大的發展淺力。本篇文章將介紹關於氮化鎵材料成長於非極性與半極性方向的磊晶技術與發光特性，以及非極性與半極性發光二極體的研究發展。 一、前言 隨著近年來 LED 的蓬勃發展，目前 LED 在照明應用上仍不足已取代日光燈，傳統藍綠光LED 主要是以 GaN 材料為主，GaN 系的材料結構為六角柱結構(hexagonal)，故單一晶粒具有極性，目前商業化的藍綠光 LED 均將 GaN 等材料成長於 c-plane 的藍寶石基板，而這樣子的成長方式與結構會產生一個問題，延著載子流動的方向會因為原子電荷的不對稱而產生內建電場，此內建電場的成因有二：(1)主要為結構中三、五族原子所帶的電荷不同；(2)由於材料與基板本身的晶格不匹配所造成的壓電場效應所致，此特性稱之為史坦克效應(Quantum Confine Stark Effect, QCSE)。QCSE (如2005 ICNS 及2006 IWN)，現今在美國加州大學聖塔芭芭那校區服務的中村修二博士大力提倡非極性(non-polar)與半極性(semi-polar)三五族的優勢及潛力，因此非極性與半極性的發光元件極具學術研究、技術發展的價值。因此，我們在底下將對非極性與半極性氮化物相關的研究作個簡單的介紹。 二、內文 1997 年在成長於 c-plane 藍寶石基板的 LED 商業化正逐漸起步之時，日本 Fujitsu 實驗室的Domen 等人利用 MBE 成長 非極性m-plane GaN 於SiC 上 [1]，並探討該材料的光學特性及偏振性，如圖1所示，在不同的偏振片角度下，m-plane GaN 會產生強弱不同且的 PL 光譜，主要是因為價帶分裂後，不同能帶下具有不同數量的載子躍遷所致。 圖、在不同的偏振片角度量測下的 m-plane GaN PL 光譜及強度對夾角的比較。(Appl. Phys. Lett., 71, 到了 2000 年K. H. Ploog 等人在 Nature 上發表了將 m-plane GaN 成長在 r-LiAlO2 的基板上[2]，下圖2(a)所示為成長在不同基板上晶格關係的比較，除了利用X 光繞射儀及PL 量測基本的結構與光學特性外，更利用了時間解析光致激發光譜來量測 m-plane GaN 的生命期，發現了其復合時間和原先具有內建電場的 c-plane GaN 的 5.8 ns 相比，大量減少至 0.45ns，如下圖2(b)所示。且由於 m-plane 並無內建電場，因此可以預期利用這樣子的材料作為高效率白光 LED 之用。同年，該 group 進一步針對利用 MBE 所成長的 m-plane GaN/AlGaN 量子井進行偏振光的實驗，並利用 Raman 光譜探討其各個方向上入射光與晶格振盪交互作用的情型，更確認 m-plane 所成長的量子井結構所發出來的光亦具有偏振光的特性，由下圖2(c)可以知道，在電場垂直 c-axis 時會有最強的強度產生。隔年，他們利用AFM 掃描 m-plane 量子井的表面，發現表面呈現許多平行的條紋狀，如下圖2(d)所示，並將這幾個結果發表在 Applied Physics Letter 及 Journal of Crystal Growth 上 [3-4]。 圖2、(a)為 c-plane 與 m-plane GaN 成長在 SiC 及 r-LiAlO2 的情形；(b)為兩種 GaN 的 PL及 TRPL 實驗結果。(Nature, 406, 865, 2000)： (c)為 m-plane GaN/AlGaN 量子井輻射示意圖；(d)為量子井表面的 AFM 影像。(Appl. Phys. Lett., 77, 3343, 2000/ J. Crys. Growth, 227, 437, 2001) 2002 年美國 UCSB 的 DenBaars 及 Speck 等人開始投入 non-polar 材料的發展 []，利用MOCVD 首次成長了