硅基微纳光电子器件(精品学术报告).pptxVIP

硅基微纳光电子器件的研究;;1.研究背景;随着研究的深入，硅基光电子元件仍在不断发展进步，各种性能在不断优化，随着硅基微纳光机电系统技术的不断发展，出现了硅基微纳光电子器件，意味着性能方面又上了一个阶梯。;为了减少Ⅲ-Ⅴ族材料制作微纳光电子器件的成本，现阶段人们尝试以硅作为纳米电子器件的材料,而且凭借硅在1.3~1.5μm 通信波段低功耗的优势，已经成功生产出了大量的硅基微纳光电子器件。例如MEMS(Micro-Electro-Mechanical System)可调谐激光器，基于NEMS ( Nano-Electromechanical System )技术的纳米光功率探测器，都是目前比较成熟的硅基微纳光电子器件。 ;本文针对硅基微纳光电子器件展开研究，以MEMS可调谐激光器为例，讨论其各种类型与结构，及优势与缺陷，努力对其做出更加全面的认识，探讨硅基微纳光电子器件的应用对于通信等领域发展的现实意义。;2.不同类型的MEMS可调谐激光器;随着光通信网络的发展和扩大，对波长的要求也越来越多。如果采用传统的固定波长的激光器分配给每个波长信道，不但需要封装多个激光器，而且会大大增加光通信网络的成本及管理的复杂化。由此引入了可调谐激光器，于是光通信网络成本可以得到有效的降低，网络灵活性得到了扩展，可任意控制信道波长，便于准确地控制频道间隔。 可调谐激光器可采用电流调谐、温度调谐、机械调谐技术，一般采用其中的一种或两种技术。在机械调谐中，MEMS结构是最有希望的一种技术，可获得大范围调谐的激光器，近几年已成为开发热点，MEMS宽带可调谐激光器是国际上研究的热点，已取得较大进展。以下对几种不同类型的MEMS波长可调谐激光器进行介绍。 ; （1） 基于MEMS反射镜的可调谐激光器;基于表面微加工3D反射镜的MEMS可调谐激光器;下图为该可调谐激光器的扫描电子显微镜（SEM）照片。采用表面微加工工艺制作3D微反射镜及其旋转结构。在完成制作并将反射镜分开之后，在预定位置竖立反射镜，然后通过定位架进行固定。集成之后，将激光器和光纤与衬底粘接。;基于深腐蚀圆形反射镜的MEMS可调谐激光器; （2） 基于闪耀光栅的MEMS可调谐??光器;（3）阵列集成的MEMS可调谐DFB激光器;（4）VCSEL基MEMS可调谐激光器;北电网络开发的VCSEL基可调谐激光器的基本构形是采用一个大功率、侧面发射泵浦光激励MEMS基垂直可调腔，然后通过一个侧面发射的放大器提高其功率输出。如下图所示： ;3.典型MEMS外腔可调谐激光器的结构分类 ;基于MEMS 技术的可调谐激光器大都是外腔激光器，目前，基于MEMS 技术的外腔可调激光器结构已经提出了很多种结构，而这些结构主要可以分为：镜面腔结构、F-P 腔结构、Littrow 结构、Littman 结构。 以下对这些结构进行介绍。;镜面腔结构简单是最早被研究的一种外腔可调激光器，激射区发射的光经过外腔的平面镜反射，重新注入激光器，形成反馈。利用MEMS 技术调节镜面里激射区的长度对波长进行调节。但由于从激射区发出的光会衍射扩散，从而导致较低的耦合效率，因此这种结构的激光器输出功率一般不会很大。且会产生多模振荡，对边模抑制能力不足。 ;基于MEMS 技术的F-P 外腔激光器，如图下图所示，利用等离子激射技术制作成F-P 腔用于调节外腔腔长，同时利用F-P 的选模机制有效地抑制了边模，可以实现良好的单模输出和较窄的输出线宽。但是此机构仍然类似镜面腔结构，耦合效率很低，且稳定性较难控制。 ;Littrow 结构中通过闪耀光栅的旋转进行波长调节，可以获得高达120 nm 的调节范围。把MEMS 调节期间与激光器集成在一起尺寸大约只有 2.0 mm×1.5 mm×0.6 mm，非常适合光纤通信设备。但是受到基础结构的制约虽然有120 nm 的可调记录， 但通常情况下可调范围不超过30 nm，大大限制了它的应用范围。 ;Littman 结构比Littrow 结构多了一个平面反射镜，如下图所示，调节波长时只需要转动平面镜，且只需要很小的角度就可以实现大范围的调节。本结构对光栅的要求较高，不同中心波长的激光器需要重新闪耀光栅，由此才能产生较小的线宽，但是目前的低耦合效率问题仍然有待解决。 ;4.结语; 通过以上分析，可以发现硅基微纳光电子器件的性能相对于硅基光电子元件具有明显的优越性，利用MEMS 技术制作的可调谐激光器显示了独特优势，体积小容易集成、可调范围宽，而且成本相对较低，所以对硅基微纳光电子器件展开研究对推动通信等领域的发展具有重要的现实意义。 ;