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? * ? 第四章 常用半导体器件原理 ? * ? 第四章 常用半导体器件原理 ? * ? 第四章 常用半导体器件原理 ? * ? 第四章 常用半导体器件原理 晶体管和场效应管 低频小信号模型(等效电路) 孙肖子 西电丝绸之路云课堂 晶体三极管低频交流小信号简化模型 * 信号将围绕工作点变化, 在工作点附近小范围内, 将非线性特性线性化 首先看 变化引起 的变化量体现在管子的输入电阻 * 其中 代入第(1)式, 得： 2. 对 的控制作用体现在受控源 3. 对 的影响体现在输出电阻 流控等效电路 --表示 对 的控制能力 * 压控等效电路 流控型电路模型 压控型电路模型 跨导定义： 其几何意义是转移特性Q点的切线斜率。 Q b′ c e b P N ＋ N + N r bb′ b′ r eb′ r cb′ 注意，此时参数中的b应改为b′。 下面进一步讨论等效电路中如何反映晶体管固有的寄生效应的影响。平面管的结构示意图如图所示。 5. 考虑基区体电阻影响, 对等效电路的修正： 第二章 很小,忽略掉。基区体电阻rbb′的阻值较大，为几十到几百欧姆。这一影响可以用基极端b与内基极b′之间的电阻rbb′等效。 流控型电路模型 压控型电路模型 将 和 串联合并，得流控型电路模型 第二章 其中： 流控型模型用于低频,压控型模型用于高频。 gm--跨导, rbe--管子输入电阻 (几KΩ数量级,较小) rce--管子输出电阻 (几十K--几百KΩ,很大) ICQ--工作点电流 UA--厄尔利电压 (百伏数量级, 很大) 场效应管的低频交流小信号模型 * --跨导 --输出电阻 无栅流, 输入电阻无穷大, 输入端相当于开路！ MOS管的体效应及背栅跨导gmb 在分立元件场效应管中, 通常衬底与源极相连, UBS=0. 在集成电路中,在同一衬底上要制作许多管子, 为避免纵向衬底电流,必须保证每管衬底与源极反偏,为此衬底要接到全电路的最低电位点 ,如图所示,上面管子UBS0, 故引进背栅跨导, 定义： UBS绝对值越大,PN结越厚,沟道越窄,iD越小！ ? * ? 第四章 常用半导体器件原理 ? * ? 第四章 常用半导体器件原理 ? * ? 第四章 常用半导体器件原理 ? * ? 第四章 常用半导体器件原理
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