胡伟《光电功能材料》L14 有机场效应晶体管 OFET.pptxVIP

光电功能材料第十四讲：有机场效应晶体管 OFET胡伟南京大学现代工程与应用科学学院内容提纲场效应晶体管的概况，历史和发展OFET的基本原理和器件结构 OFET的基本参数：迁移率、开关比等活性层材料有机场效应晶体管的制作和加工场效应晶体管的应用举例 场效应晶体管的概况，历史和发展无机场效应晶体管(Field-effect Transistors FETs)是由John Bardeen, William Shockley和Walter Brattain于1947年发明的。Kahng和Atalla(Bell Lab)于1961年制出第一个硅基的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor FET)目前，无机场效应晶体管 (FETs)已成为微电子工业中的主流材料。1986年，Tsumura报导了有机场效应晶体管。它具有和无机场效应管类似的功能。1986 年以来，对有机场效应晶体管OFET的研究，无论在材料方面, 以及制作工艺上，都有了巨大的进展。典型无机场效应晶体管示意图在场效应晶体管中，存在着三个电极：门电极、源电极和漏电极源门漏绝缘层活性层场效应管的一般应用 一般MOSFET可用作：电子开关(Switch)，信号与功率放大器(Amplifier)，数字电路与逻辑电路中的加法器（Adder)、转移器(shifter)、换流器(inverter)及算法逻辑单元等此外，场效应晶体管在现代的记忆元件、集成线路以及在个人计算机(PC)的微处理器中都有着重要应用。若将NMOS与PMOS制作在同一晶片上,则可称之为CMOS (complementary MOS)，或称为：互补金属-氧化物-半导体场效应晶体管。OFET的基本结构和工作原理有机场效应晶体管(OFET)：其活性层材料为有机材料OFET 同样是一种具三个端基的器件，通过在门电极（gate）上施加电压，实现源极（source）和漏极（drain）间（当有偏压存在时）流过电流的控制。活性层绝缘层场效应管的基本工作原理对于N型半导体活性层，如在门电极上加以足够的正电压 ，即可在半导体活性层与绝缘体的界面上，诱导吸引足够的电子载流子而形成通道，使源极与漏极导通于是，控制门电极的电压可等效的起到控制界面层电子积聚(Accumulation)的多少，从而达到控制源极与漏极间的导电特性。因此，这一器件就可等效地用作为一开关或放大器。当VG 为0时，VDS 增大，电流基本不变。在同一VDS 值时，电流随VG增大而增大Top and bottom contact OTFT architectures顶接触底接触顶接触是将源极和漏极建立在已预先成型的有机半导体层之上；底接触则将有机半导体层沉积于源－漏电极之上构成的。有机场效应管的特点和常规的硅基材料相比较，OFET 最令人感兴趣的是其简单的制备工艺。在常规硅材料的制备中，要求在高温以及高真空条件下进行沉积（Deposition），并要求用复杂的光刻工艺来实现图像化；而有机材料在制作有机薄膜场效应管时，可采用如：低温沉积法，或溶液加工法来代替上述硅材料生产中复杂的工艺过程。同时常规硅基材料的性能比较单一。相反，有机材料可有多种多样结构和性能的材料。此外，有机材料的力学柔顺性，使它能方便的和塑料基底兼容，从而获得轻遍可折叠的产品。另外其价格低廉，可方便的实现大批量的生产。场效应管的线性区和饱和区- 5V- 5VGateGateVd电压的增大对 n型半导体，在通道形成时，若在漏极上加以正电压吸引电子，就会使电子流向漏极。而对应的电流Id (流向源极)与漏极电压 Vd 间成比例关系。这一区域称为线性区当Vd增大到特定电压时，因通道的电子被漏极的正电压大量吸引，所以在靠近漏极处的电子通道就会因此而消失，这称为 通道截止。这时的 Vd就被称为饱和电压，而Id 则称为饱和电流。这一区域称为饱和区0V0V- 7V0V＋＋＋＋＋DrainSourceDrainP型半导体饱和区形成的机制当Vd电压达到饱和电压时，通道截止。Id值不会再进一步增加，为饱和区IDSVgVTVDS从 I-V 工作曲线看线性区与饱和区SaturationV T 为阈值电压LinearOFET中存在的各种影响因子活性层材料的电导，载流子浓度和迁移率活性层工作物质的HOMO, LUMO 能量特征。活性通道的几何尺寸介电体的电容诱导问题金属电极的费米能级门电极施加电压的极性和大小源、漏电极间的电压大小等迁移率、开关比是OFET的基本参数迁移率 Mobility迁移率（mobility,μ）是用于描述活性层中、载流子(charge carriers) 于电场影响下，流动的难易程度，因此迁移率和器件的开关速度（switching speed）间有着直接的联系。迁移率值可从I-V曲线的测定中